3月4日，深圳長城開發科技股份有限公司在投資者關系活動中發布相關信息。其中，公司計劃募集不超過17.10億元建設存儲先進封測與模組制造項目。 

 

項目由合肥沛頓存儲科技有限公司實施，項目預計百億投資，目前啟動的一期投資30.67億元，建設內容包括：（1）DRAM 存儲芯片封裝測試業務，計劃全部達產后月均產能為4,800萬顆；（2）存儲模組業務，計劃全部達產后月均產能為 246 萬條模組；（3）NAND Flash存儲芯片封裝業 務，計劃全部達產后月均產能為 320 萬顆。建設期3年，預計全面達產后 可實現年產值28.63億元，項目稅后內部收益率為15.22%。

 

公司擬向不超過35名特定對象發行不超過8933萬股（不超過發行前公 司股本總數的6.07%）募資總額不超過17.10億元，作為沛頓科技向沛頓存儲的出資資金，沛頓科技將以自有資金繳付首期出資款，待公司收到非公開發行股份募集資金后再予以置換。

 

據悉，技術來源于公司全資子公司沛頓科技自主研發與長期積累，是國內最大的 DRAM和Flash存儲芯片封裝測試企業之一。其存儲芯片封裝制程采用的是當前高端產品的主流技術，具備多層堆疊技術、系統級封裝、倒裝FCBGA技術等，現有產品已實現多達16層的多晶堆疊技術，最大單顆芯片容量可達到256G。

 

目前，沛頓科技主要從事動態隨機存儲（DRAM）、閃存（Flash）芯片、嵌入式存儲產品、SSD和指紋邏輯芯片的封裝和測試業務，目前主要為 wBGA、DDR3、DDR4，eMCP、USB、SSD閃存芯片以及指紋邏輯芯片等提供封測服務，是國內唯一具有從高端DRAM/Flash/SSD存儲芯片封測到模組、成品生產完整產業鏈的企業。

 

項目實施后，可滿足客戶較大需求的DRAM、Flash存儲芯片封測以 及DRAM內存模組制造業務，有助于國內存儲器芯片封測的深度國產化。隨著本次募投項目的實施，有利于打破國內存儲器領域對進口產品的依賴和 技術壁壘，加速存儲器國產化替代進程，提升國產存儲器芯片的產業規模， 促進我國存儲器產業鏈發展。

 

(第三代半導體產業網整理)