北京市發展和改革委員會近日公布2021年“3個100”重點工程計劃。項目總投資超1.3萬億元,當年計劃完成投資約2780億元、建安投資約1256億元,包括120個新開工項目和180個續建項目。
“3個100”北京市重點工程主要包括100個重大基礎設施項目、100個重大民生改善項目、100個科技創新及高精尖產業項目。
100個重大基礎設施項目包括:國鐵、高速公路項目14個,推進京津冀協同交通一體化;軌道交通、市郊鐵路項目18個;站城一體化交通樞紐項目10個;城市道路及交通基礎設施配套項目29個,進一步織密城市道路網絡;能源、水務、固液態廢物處理、應急保障等市政設施項目29個。
100個重大民生改善項目主要是引導教育、醫療等各類資源均衡配置,貫通大尺度綠色空間,推進城市更新。項目包括:政策性住房項目6個,加大公共租賃住房等建設力度,建設職住一體的高端人才工作居住空間;教育項目22個,加大對新城、重點區域和農村地區中小學校支持力度;醫療養老項目28個;文化體育項目26個;老舊小區改造及街區更新項目10個;綠化項目8個。
100個科技創新及高精尖產業項目突出北京加快建設國際科技創新中心,積極打造數字經濟先導區和示范區。項目包括:推進懷柔科學城建設綜合性國家科學中心,安排重大科技設施平臺集群項目8個;先進制造業項目37個,著力擴大智能制造投資,推動集成電路、生物醫藥等制造業項目集中落地;金融業、服務業擴大開放項目16個;數字經濟和科技創新空間資源項目23個,加快布局工業互聯網,實施區塊鏈創新發展行動計劃,推進高級別自動駕駛示范區建設;文化旅游項目16個。

圖片來源:北京發改委
先進制造業項目名單中,包括了北方華創半導體裝備研發及產業化擴產項目、中科九微半導體裝備用真空產品制造基地、華卓精科半導體裝備關鍵零部件研發制造二期項目、江豐濺射靶材及關鍵零部件項目、中芯北方12英寸集成電路生產線(二期)工程、集創北方芯片設計和封測基地項目、第三代半導體碳化硅襯底產業化基地建設項目、第三代等先進半導體產業標準化廠房等。
新建項目
北方華創半導體裝備研發及產業化擴產項目
建設規模約20萬平方米,項目建成后將具備年產半導體裝備1300臺、高端真空裝備200臺的生產能力
中科九微半導體裝備用真空產品制造基地
建設規模約2.1萬平方米,建設面向半導體裝備領域的高端真空系列產品研發及生產基地
華卓精科半導體裝備關鍵零部件研發制造二期項目
建設規模約6.8萬平方米,建設激光退火設備、靜電卡盤、運動平臺與隔振器等生產廠房
江豐濺射靶材及關鍵零部件項目
建設規模約2.4萬平方米,建設內容為半導體、平板顯示器、高轉化率太陽能電池產業的超高純金屬靶材制造生產線及大型設備關鍵部件生產線
續建項目
中芯北方12英寸集成電路生產線(二期)工程
建設規模約28.6萬平方米,建設內容為兩條45/40納米到32/28納米集成電路生產線,月總產能7萬片12英寸晶圓;新建廠房、研發樓等
集創北方芯片設計和封測基地項目
建設規模約9.5萬平方米,建設先進顯示芯片封裝、測試生產線及新工藝試驗線,同時建立集創北方研發中心
第三代半導體碳化硅襯底產業化基地建設項目
建設規模約5.5萬平方米,新建第三代半導體碳化硅襯底產業化基地,新建滿足400臺單晶生長爐生長、加工、清洗和檢測的廠房1座并建立配套的動力站、科研樓等配套用房
第三代等先進半導體產業標準化廠房
建設規模約7.4萬平方米,主要建設生產用房及配套辦公用房