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賽晶項頡:三年內(nèi)自研芯片覆蓋大部分IGBT模塊市場!

日期:2021-02-02 來源:華夏時報閱讀:447
核心提示:從目前的研發(fā)與生產(chǎn)進度看來,三年內(nèi),賽晶研發(fā)的芯片和模塊技術(shù)將可以覆蓋大部分IGBT模塊市場。
 近年來,盡管我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展取得了重大進步,但是核心技術(shù)受制于人的局面仍然沒有根本改變,急需加強核心技術(shù)攻關(guān),保障供應(yīng)鏈安全和產(chǎn)業(yè)安全。
 
當前,我國對IGBT(即絕緣柵雙極型晶體管,被稱為電力電子裝置的“CPU”,是目前技術(shù)最先進、應(yīng)用最廣泛的功率半導(dǎo)體器件)的市場需求高居全球第一大位置,但供給仍主要依賴進口,對外依存度達到90%左右。需求缺口主要由例如英飛凌、三菱、富士電機等國際大廠來滿足。隨著我國新興產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能的高速增長,供需缺口問題越發(fā)明顯,IGBT國產(chǎn)替代勢在必行。
 
 
據(jù)了解,IGBT產(chǎn)業(yè)鏈可以分為四部分,分別為芯片設(shè)計、芯片制造、模塊設(shè)計以及制造封測。2019年,我國工信部明確指出,在當前復(fù)雜的國際形勢下,工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊的發(fā)展滯后將制約我國新舊動能轉(zhuǎn)化及產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型,進而影響國家經(jīng)濟發(fā)展。
 
近日,國際權(quán)威機構(gòu)IHS Markit (中文名稱:埃信華邁)研究預(yù)測,世界IGBT模塊市場將以平均11.1%的增速持續(xù)增長,其中中國市場將以13.3%的增速冠絕全球。IGBT模塊模塊數(shù)將從2020年的2100萬只增長到2023年的3000萬只,金額將從2020年的14億美元增長到2023年的20億美元,而同期MOSFET預(yù)計是負增長,IPM(Intelligent Power Module,即智能功率模塊)的增速只有2%。
 
IGBT模塊擁有著巨大的市場空間。近日,記者就該份報告所反映的內(nèi)容采訪了上市公司賽晶科技集團創(chuàng)始人、董事會主席及執(zhí)行董事項頡,嘗試從他的分析中,進一步了解IGBT模塊的市場空間及未來發(fā)展?jié)摿Α?/div>
 
項頡在電力電子行業(yè)方面擁有逾20年經(jīng)驗。他所創(chuàng)辦的賽晶科技集團系世界領(lǐng)先的科技創(chuàng)新型企業(yè),擁有多項技術(shù)專利,客戶群覆蓋諸多著名應(yīng)用廠商,譬如國家電網(wǎng),比亞迪等等。賽晶科技自2016年起就開始進行IGBT相關(guān)的研發(fā)性工作,目前已經(jīng)完成了研發(fā)團隊組建、首款產(chǎn)品的論證和設(shè)計、完善的供應(yīng)鏈體系建立、啟動自主IGBT生產(chǎn)基地建設(shè)等一系列工作。
 
記者:IGBT模塊市場的走向?qū)绾??市場需求將集中在哪些?yīng)用場景?
 
項頡:中國市場IGBT模塊的平均銷售價格2020年為67.8美元,2023年預(yù)計為65.3美元。顯示大電流、大功率的IGBT模塊繼續(xù)是市場需求主流。
 
從市場來看,EV(純電動汽車)將成為IGBT模塊的第一大應(yīng)用場景,從2020年的4.64億美元增長到2023年的8.34億美元,年均增速28.8%;工業(yè)變頻將繼續(xù)保持第二的位置,從2020年的3.28億美元增長到2023年的3.55億美元,年均增速5.7%;新能源發(fā)電將保持第三的位置,從2020年的2.64億美元增長到2023年的3億美元。需要指出的是,光伏發(fā)電的需求占比將超過86%,年均增長達到11.3%,而風(fēng)電是年均負增長9%。這三大領(lǐng)域的需求將占到中國IGBT模塊市場需求的76.8%。
 
記者:目前,行業(yè)內(nèi)對IGBT傾向于按照應(yīng)用場景的電壓等級加以分類,主要分為低壓(600V以下)、中壓(600V-1200V)和高壓(1700V以上)三個主要電壓等級。從電壓來看,IGBT市場將呈現(xiàn)怎么樣的分布?
 
項頡:從電壓來看,600V-1200V的IGBT模塊市場需求將從2020年的2.83億美元增長到2023年的3.67億美元,年均增速7.9%;1200V-1400V的IGBT模塊市場需求將從2020年的7.57億美元增長到2023年的10.49億美元,年均增速17.2%;1700V的IGBT模塊市場需求將從2020年的2億美元增長到2023年的2.84億美元,年均增速12.7%。600V-1700V的IGBT模塊占到整個IGBT模塊市場的87.7%。從電流來看,150A-900A的IGBT模塊占整個IGBT模塊市場的67%。
 
值得注意的是,SiIGBT+SiCDiode的混合模塊將從2020年的2億美元增長到2023年的2.65億美元,年均增速10.8%;全SiC模塊將從2020年的1.26億美元增長到2023年的2.85億美元,年均增速28.9%。
 
記者:IGBT產(chǎn)業(yè)一直以來處于不溫不火的狀態(tài),而新能源汽車、智能電網(wǎng)改革全面提速讓IGBT的需求爆發(fā)式增長。目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供需失衡的“多米諾骨牌效應(yīng)”已經(jīng)出現(xiàn)。在下游應(yīng)用領(lǐng)域,IGBT模塊是客戶產(chǎn)品中的關(guān)鍵器件,由于替換成本較高,因此產(chǎn)品質(zhì)量和穩(wěn)定性十分重要。截至目前,我國IGBT廠商在技術(shù)、資金、品牌、人才等積累與國外廠商相比,仍然顯得十分不足。但是,受益于國產(chǎn)替代需求,政府推動國產(chǎn)替代,扶持企業(yè)發(fā)展,已經(jīng)成為未來的大趨勢。據(jù)我了解,賽晶科技正在致力推出IGBT的自研產(chǎn)品,公司能否在緩解產(chǎn)業(yè)鏈緊張方面起到作用?
 
項頡:從目前的研發(fā)與生產(chǎn)進度看來,三年內(nèi),賽晶研發(fā)的芯片和模塊技術(shù)將可以覆蓋大部分IGBT模塊市場。
 
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