據介紹，在柔性透明儲能器件中，透光率和能量密度相互影響，提升單一性能往往導致另一性能的大幅下降，同時還需提高儲能器件的容量，這些都帶來了極大的挑戰。

 

為此，研究人員通過合理的晶體摻雜設計，成功制備了一系列間隙硼摻雜的介孔寬禁帶半導體氧化物(氧化錫、氧化鋅及氧化銦)。

 

在這一類新型的透明半導體氧化物中，間隙硼原子不僅能夠大幅度提升摻雜材料的載流子濃度，為羥基的嵌入提供豐富的結合位點，還在間隙摻雜位上引發與OH-的贗電容電化學反應，從而將贗電容惰性的氧化錫、氧化鋅和氧化銦，轉化為高電化學活性的超級電容器電極材料。

 

通過控制間隙硼摻雜的濃度，這一類介孔透明半導體氧化物的體積比容量可以達到每立方米1172毫法拉，實現與其他非透明金屬氧化物的贗電容性能相近。

 

目前，相關研究成果已發表于《自然—通訊》。