碳化硅（SiC）MOSFET的快速開關速度，高額定電壓和低RDSon使其對于不斷尋求在提高效率和功率密度的同時保持系統簡單性的電源設計人員具有很高的吸引力。
但是，由于它們的快速開關速度會產生高振鈴持續時間的高漏源電壓（VDS）尖峰，因此會引入EMI，尤其是在高電流水平下。
了解VDS尖峰和振鈴
寄生電感是SiC MOSFET VDS尖峰和振鈴的主要原因。查看關斷波形（圖1），柵極-源極電壓（VGS）為18V至0V。關斷的漏極電流為50A，VDS為800V。SiC MOSFET的快速開關速度會導致高VDS尖峰和較長的振鈴時間。這種尖峰會降低設備的設計裕量，以應對閃電條件或負載的突然變化，并且較長的振鈴時間會引入EMI。在高電流水平下，此事件更加明顯。
圖1 VDS尖峰和關斷時通過SiC MOSFET產生的振鈴（1200V 40mOhm）
常見的EMI去除技術
抑制EMI的常規方法是降低通過器件的電流速率（dI / dt），這是通過使用高柵極電阻（RG）來實現的。但是，較高的RG會顯著增加開關損耗，從而損失效率。
抑制EMI的另一種方法是降低電源環路的雜散電感。但是，要實現這一點，PCB的布局需要更小的電感。但是，最大程度地減小電源環路是有限的，并且必須遵守最小間距和間隙安全規定。使用較小的封裝也會影響熱性能。
濾波器設計可用于幫助滿足EMI要求并減輕系統權衡。控制技術（例如，頻率抖動）還可以降低電源的EMI噪聲。
使用RC緩沖器
使用簡單的RC緩沖器是一種更有效的方法。它可控制VDS尖峰并以更高的效率和可忽略的關閉延遲來縮短振鈴時間。借助更快的dv/dt和額外的電容器，緩沖電路具有更高的位移電流，從而降低了關斷過渡時的ID和VDS重疊。
雙脈沖測試（DPT）證明了RC緩沖器的有效性。它是帶有感性負載的半橋。橋的高邊和低邊都使用相同的器件，在低邊測量了VGS，VDS和ID（圖2）。電流互感器（CT）同時測量設備和緩沖電流。因此，測得的總開關損耗包括器件損耗和緩沖損耗。
圖2.半橋配置（頂部和底部使用相同的設備）
RC緩沖器只是一個200pF電容器和一個10Ω電阻器，串聯在SiC MOSFET的漏極和源極之間。
圖3：RC緩沖器（左）比高RG（右）更有效地控制關斷EMI
在圖3中，比較了圖1中相同設備的關閉狀態。左波形使用具有低RG（關）的RC緩沖器，而右波形具有高RG（關）且無緩沖器。兩種方法都限制了關斷峰值尖峰漏極——源極電壓VDS。但是，通過將振鈴時間減少到僅33ns，緩沖電路更加有效，并且延遲時間也更短。
圖4.比較顯示，使用RC緩沖器在開啟時影響很小
圖4比較了帶有RC緩沖器（左）和不帶有RC緩沖器的5ΩRG（開）下的波形。 RC緩沖器的導通波形具有稍高的反向恢復峰值電流（Irr），但沒有其他明顯的差異。
RC緩沖器比高RG（關）更有效地控制VDS尖峰和振鈴持續時間，但這會影響效率嗎？
圖5.緩沖器和高RG（off）之間的開關損耗（Eoff，Eon）比較
在48A時，高RG（關）的關斷開關損耗是低RG（關）的緩沖器的兩倍多，幾乎與不使用緩沖器的開關損耗相當。因此，可以得出這樣的結論：緩沖器效率更高，可以更快地切換和控制VDS尖峰并更有效地振鈴。從導通開關損耗來看，緩沖器只會稍微增加Eon。
圖6.緩沖器與高RG（關閉）的總開關損耗（Etotal）的比較
為了更好地理解整體效率，將Eoff和Eon一起添加了Etotal（圖6）。全速切換時，緩沖器在18A以上時效率更高。對于以40A / 40kHz開關的40mΩ器件，使用RC緩沖器的高和低RG（關）之間的損耗差為11W。總之，與使用高RG（關）相比，緩沖器是一種將EMI和開關損耗降至最低的更簡單，更有效的方法。
隨著第四代SiC器件進入市場，這種簡單的解決方案將繼續使工程師進行設計以獲得最佳效率。
