第三代半導體產業(yè)網特稿：2021年1月29日，CREE官方發(fā)布消息稱：“我們預計將于 2021 年底正式更名為 Wolfspeed。”

 

CREE表示：“從 Cree 到 Wolfspeed，我們的團隊對于創(chuàng)新和超越可能極限的承諾將始終不變。作為碳化硅 SiC 產業(yè)的全球引領者，我們已經做好準備，在未來賦能實現(xiàn)開創(chuàng)性的、高效節(jié)能的變革！”

 

目前，科銳是Wolfspeed功率和射頻（RF）半導體的創(chuàng)新者。科銳Wolfspeed產品組合包括了碳化硅（SiC）材料、功率器件、射頻器件，廣泛應用于電動汽車（EV）、快速充電、逆變器、電源、電信、軍事、航空航天等領域。
 

 

據(jù)了解，CREE成立于1987年。在1993年就成功登陸納斯達克交易所。為全球LED外延、芯片、封裝、LED照明解決方案、化合物半導體材料、功率器件和射頻于一體的著名制造商和行業(yè)領先者。Wolfspeed 是科銳旗下的一個部門--Wolfspeed Power & RF（功率與射頻）部門。

 

Wolfspeed位于美國北卡羅來納州三角研究園，過去近三十年來一直屬于Cree公司，是碳化硅功率器件和碳化硅基氮化鎵射頻功率解決方案的主要供應商之一。其核心競爭力包括碳化硅晶圓襯底制造，以及面向射頻功率器件、包含單晶氮化鎵層的碳化硅晶圓襯底制造。這些核心競爭力，加上超過500名技術精湛的員工，以及囊括大約2000項已經授予或正在申請的專利的強大知識產權組合。Wolfspeed生產的碳化硅芯片在電動和混合動力汽車市場又明顯優(yōu)勢，在未來數(shù)年可能會逐漸取代傳統(tǒng)芯片。

 

早在2015年，Cree營收就超過10億美元，其中Wolfspeed部門營收貢獻就超過2億美元。在2015年9月，科銳曾宣布，將分拆旗下Wolfspeed Power & RF（功率與射頻）部門，更名為“Wolfspeed”公司，并計劃單獨上市。但該分拆計劃于2016年1月宣布被推遲。

 

然而，在射頻方向擁有不錯的表現(xiàn)德國半導體公司英飛凌，依賴于橫向擴展金屬氧化物半導體放大管、硅基氮化鎵、碳化硅基氮化鎵、砷化鎵、鍺化鎵、鍺化硅和射頻CMOS等產品，英飛凌在布局未來的5G宏蜂窩基站、小蜂窩、回程鏈路和最終用戶設備等，包括大規(guī)模MIMO方面有了先天的優(yōu)勢。

 

在2016年7月，英飛凌方面發(fā)布公告稱，公司將斥資7.4億歐元收購Cree旗下Wolfspeed功率和射頻業(yè)務部（“Wolfspeed”），但最后因為美國海外投資委員會（CFUIS）以該筆收購案對于美國國家安全造成風險為由，最后于2017年2月17日正式確認雙方擬議的交易被終止。

 

此項交易的被迫終止，并不能阻止兩家公司半導體業(yè)務的深入融合。2018年2月28日，科銳宣布與英飛凌簽署長期協(xié)議，為英飛凌生產和供應Wolfspeed SiC碳化硅晶圓片。該協(xié)議顯示，科銳將向英飛凌供應150 mm SiC碳化硅晶圓片，將幫助英飛凌在包括光伏逆變器和電動汽車等高增長市場擴展產品供應。這項供應協(xié)議價值超過1億美元，將幫助實現(xiàn)SiC碳化硅在包括光伏、電動汽車、機器人、充電基礎設施、工業(yè)電源、牽引系統(tǒng)和變頻器等領域更為廣泛的應用。

 

雙方合作還在進一步融合，在2018年3月6日合作發(fā)生“戲劇性”反轉，Cree科銳宣布以3.45億歐收購英飛凌的射頻功率業(yè)務。科銳首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示：“這一收購將增強Wolfspeed在GaN-on-SiC（碳化硅基氮化鎵）射頻技術的領先地位，并提供獲得更多市場、客戶和封裝專長的機會。這是科銳增長策略的核心要素，將幫助Wolfspeed在實現(xiàn)更快的4G網絡并向革命性5G技術演進的過程中占據(jù)有利地位。”

 

英飛凌首席執(zhí)行官Reinhard Ploss表示：“科銳在業(yè)內享有很高的知名度，通過此次收購，成為我們射頻業(yè)務強有力的新主人。此次交易基于很好的商業(yè)理由，我們看好此次并購業(yè)務的前景。同時，我們將更有效地將資源集中在英飛凌的戰(zhàn)略增長領域，同時在無線市場保持強勁的技術組合。”

 

長久以來，英飛凌和科銳一直保持著技術領先地位、密切合作和共同商業(yè)利益。此次被收購的英飛凌射頻團隊和產能將成為科銳Wolfspeed的重要補充，帶來更多的技術、設計、封裝、制造、客戶支持等相關的專長。這一業(yè)務將保持領先市場地位，提供同時基于LDMOS（橫向擴散金屬氧化物半導體）和GaN-on-SiC（碳化硅基氮化鎵）技術的晶體管和MMICs（單片微波集成電路），應用于無線基礎設施的射頻功率放大器。
 

 

 

CREE致力于成為碳化硅和氮化鎵技術領域的領導公司，加速剝離出售LED業(yè)務，進一步堅定其轉型和更加聚焦于第三代半導體戰(zhàn)略。

 

在2019年3月15日，CREE宣布將出售旗下照明產品業(yè)務部門（“Cree Lighting”）給美國理想工業(yè)公司（IDEAL INDUSTRIES），包括用于商業(yè)、工業(yè)和消費者應用的LED照明燈具、燈泡以及商業(yè)照明解決方案業(yè)務；這筆交易稅前約3.1億美元。美國理想工業(yè)公司（IDEAL INDUSTRIES, INC.）是一個四代家族企業(yè)，也是一家不斷發(fā)展壯大的全球性公司，是電力控制和管理領域的市場領導者。Cree Lighting以及科銳SmartCast智能照明系統(tǒng)也進一步完善了IDEAL先進控制業(yè)務以及供應商、分銷商、代理和客戶關系渠道。

 

根據(jù)公告，CREE延續(xù)了在2018年2月宣布的戰(zhàn)略，旨在創(chuàng)建一家更加集中的的強大半導體公司，為Wolfspeed、其核心功率(Power)和射頻(RF)業(yè)務提供發(fā)展基金，并為科銳提供額外資源以擴展其半導體業(yè)務。此項協(xié)議還使Cree Lighting在納入IDEAL團隊后獲得更多全球關注、渠道支持以及投資，從而成為IDEAL的增長引擎。

 

CREE首席執(zhí)行官 Gregg Lowe 表示：“Cree 旨在成為碳化硅和氮化鎵技術領域的領導公司，而這一目標在過去 18 個月中取得了重大進展：Wolfspeed 增長了超過 100％，收購了英飛凌射頻功率業(yè)務，使我們的碳化硅材料制造能力增加了一倍多，并簽署了多項長期供應協(xié)議，總計超過 5 億美元。加之如今照明業(yè)務的剝離，Cree 已成為一個更專注的半導體領導者。”

 

“CREE的技術處于汽車行業(yè)向零排放電動汽車過渡、電信行業(yè)轉向更快的 5G 網絡以及 LED 特種應用持續(xù)增長趨勢的最前沿。我們在碳化硅和氮化鎵領域的領先地位使我們能夠充分利用這些技術為我們的客戶提供的巨大優(yōu)勢。此次交易為加速 Wolfspeed 增長提供了大量資源，同時 Cree Lighting 業(yè)務渠道得以擴展和鞏固，對業(yè)務本身和員工來說都是一個絕佳機會。我們相信這一決定有利于公司及我們的員工、股東和客戶，因為它可以釋放價值，增加對核心業(yè)務的管理重點，并支持我們加速碳化硅應用的使命。”Gregg Lowe 同時表示說。
 

 
 

CREE繼續(xù)剝離LED業(yè)務的決策還在繼續(xù)。2020年10月19日，CREE在其官網宣布與SMART Global Holdings, Inc.達成協(xié)議，計劃將LED產品事業(yè)部出售給SMART，交易價格達3億美金（預付款5000萬美金，延期付款1.25億美金以及或有對價1.25億美金）。CREE作為LED產業(yè)最知名的品牌之一，主要產品包括LED芯片和封裝器件。SMART是專用內存、存儲和高性能運算解決方案的全球領導企業(yè)，服務于電子行業(yè)超過30年。本次交易還需獲得監(jiān)管機構的批準，并滿足慣例成交條件，預計2021年第一季完成。交割后，SMART將把CREE LED的品牌納入到SMART的業(yè)務組合里面。

 

CREE表示：“本次交易進一步明確了公司的戰(zhàn)略定位，CREE將引領從硅到碳化硅的產業(yè)轉型，并進一步增強公司的財務狀況。基于此，CREE將持續(xù)投資半導體領域，充分利用涵蓋新能源汽車、5G和工業(yè)應用領域在內的增長機會。”這宗交易完成后，成為CREE轉型中的關鍵里程碑，代表CREE徹底告別LED和照明行業(yè)、聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵(GaN)材料和設備生產。

 

 

在收購、剝離LED照明業(yè)務的同時，其擴產計劃也被提上日程。2019年5月7日， CREE宣布，作為公司長期增長戰(zhàn)略的一部分，將投資10億美元用于擴大SiC碳化硅產能，在公司美國總部北卡羅萊納州達勒姆市建造一座采用最先進技術的自動化200mm SiC碳化硅生產工廠和一座材料超級工廠。這項標志著公司迄今為止最大的投資，將為Wolfspeed SiC碳化硅和GaN-on-SiC碳化硅基氮化鎵業(yè)務提供動能。在2024年全部完工之后，這些工廠將極大增強公司SiC碳化硅材料性能和晶圓制造產能，使得寬禁帶半導體材料解決方案為汽車、通訊設施和工業(yè)市場帶來巨大技術轉變。
 

 
Cree North Fab
 

CREE首席執(zhí)行官Gregg Lowe先生表示：“我們不斷地看到在汽車和通訊設施領域采用SiC碳化硅的優(yōu)勢來驅動創(chuàng)新所產生的巨大效益。但是，現(xiàn)有的供應卻遠遠不能夠滿足我們對于SiC碳化硅的需求。今天，我們宣布了公司迄今在生產制造的最大投資，將大幅地提升供應，幫助客戶為市場提供變革性的產品和服務。這項在設備、基礎設施、公司人力方面的巨大投入，將為我們顯著擴大產能。與2017財年第一季度（也就是我們開始擴大產能的第一階段）相比較，能夠帶來SiC碳化硅晶圓制造產能的30倍增長和材料生產的30倍增長。我們相信這將使得我們能夠滿足Wolfspeed SiC碳化硅材料和器件在未來5年乃至更長遠的預期增長。”

 

這項計劃將為業(yè)界領先的Wolfspeed SiC碳化硅業(yè)務提供附加產能。通過增建現(xiàn)有的建筑設施，作為面積253,000平方英尺的200mm功率和RF射頻晶圓制造工廠，邁出滿足預期市場需求的第一步。新的North Fab將被設計成能夠全面滿足汽車認證的工廠，其生產提供的晶圓表面積將會是今天現(xiàn)有的18倍，剛開始階段將進行150mm晶圓的生產。公司將把現(xiàn)有在達勒姆的生產和材料工廠轉變?yōu)橐蛔牧铣壒S。

 

CREE首席執(zhí)行官Gregg Lowe先生同時還表示：“這些SiC碳化硅制造超級工廠，將加速當今最快增長市場的創(chuàng)新。通過提供解決方案，幫助提高EV電動汽車的行駛里程并減少充電時間，同時支持5G網絡在全世界的部署。我們相信這代表著SiC碳化硅和GaN氮化鎵技術和制造有史以來最大的資本投資，也是一種在財政上負責任的方式。通過采用現(xiàn)有工廠和安裝絕大部分的整新工具，我們相信我們可以實現(xiàn)提供最先進技術的200mm fab，并且成本大約僅為一座新fab的1/3。”擴大的園區(qū)將創(chuàng)造高科技就業(yè)機會，并提供先進制造人才發(fā)展計劃。Cree計劃與州、當?shù)睾退哪曛圃盒ｉ_展培訓項目，為新工廠所帶來的長期、高端就業(yè)和成長機遇提供人才儲備。

擴大的園區(qū)將創(chuàng)造高科技就業(yè)機會，并提供先進制造人才發(fā)展計劃。Cree計劃與州、當?shù)睾退哪曛圃盒ｉ_展培訓項目，為新工廠所帶來的長期、高端就業(yè)和成長機遇提供人才儲備。“科銳將在碳化硅 (SiC) 制造和研發(fā)方面繼續(xù)加大投入，以支持全球范圍內對于我們技術不斷增長的需求。我們相信先進半導體制造對于引領加速關鍵下一代技術起著至關重要的作用。”Gregg Lowe先生如是說。

 

 

在過去的 25 年時間里，CREE 取得了諸多成功，包括實現(xiàn)更大尺寸的 SiC 襯底并消除其微管，以及將 SiC 二極管、SiC MOSFET 和 GaN HEMT 推向市場。

 

據(jù)了解，CREE及旗下Wolfspeed在行業(yè)也取得諸多成就。包括：SiC功率器件市場份額最大，第一家商用SiC MOSFET的企業(yè)，第一家提供商業(yè)化SiC晶圓產品的，GaN射頻器件市場第二，十年以上的GaN HEMT生產經驗；提供GaN-on-SiC代工服務，改變了IDM業(yè)態(tài)。其中， SiC 產量在整個 SiC 材料市場超過了 60%。由于自 1989 年以來為 LED 業(yè)務提供了大量晶圓支持，在過去的 25 年里，已經為市場提供了超過96% 的SiC 晶圓。同時，也引領了SiC晶圓尺寸的由小變大，晶圓直徑已經從 2 英寸發(fā)展到了 3 英寸、4 英寸、6 英寸以及現(xiàn)在的 200 毫米。2002 年，CREE推出了首個小型 SiC 肖特基 (Schottky) 勢壘二極管，取得了各方面的成功。這為我們在 2011 年初推出首個商業(yè)化 SiC 功率 MOSFET 鋪平了道路。

 

在射頻領域，CREE也是不斷開拓進取。早在1998 年，CREE就在射頻 (RF) 領域取得首個重大突破，并展示了首個碳化硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管 (GaN-on-SiC HEMT)。時隔兩年，CREE又展示了首個氮化鎵單片微波集成電路 (GaN MMIC)。2008 年正式推出了首個 GaN 射頻器件，利用 GaN-on-SiC 的優(yōu)勢，大大提升了射頻性能。憑借高擊穿電場，GaN 能夠在非常高的電壓下工作，從而在不損失可靠性的情況下獲得高功率密度。CREE表示：“過去十年間，我們繼續(xù)提升自身 GaN-on-SiC 射頻器件性能。它們已廣泛應用于航空航天和國防工業(yè)以提升各種系統(tǒng)性能，同時還應用于電信基礎設施市場所需的更高效率的功率放大器。”
 

 

為了滿足激增的需求，CREE 公司旗下 Wolfspeed在2021年1月份，新發(fā)布了 Wolfspeed WolfPACK，這種新型功率模塊產品組合，在單一并緊湊的解決方案中，將 SiC 的諸多優(yōu)勢與最新的聯(lián)接技術相結合。與市場上的多個分立式、非分立式和其他市售模塊相比，該解決方案能夠實現(xiàn)單位尺寸內功率最大化。Wolfspeed WolfPACK 為無基板產品，因此重量較輕。與傳統(tǒng)的大功率基板模塊相比，能夠帶來更小的設計尺寸。

 

隨著新型 Wolfspeed WolfPACK 模塊的推出，Wolfspeed 的功率產品組合現(xiàn)已覆蓋整個應用范圍，可為設計人員提供適合各種應用（從單千瓦設計到兆瓦系統(tǒng)）的解決方案。Wolfspeed WolfPACK 模塊不僅能夠提供出色的性能，還能提供卓越的靈活性和可擴展性。該模塊的開發(fā)基于 Wolfspeed 業(yè)界領先的 SiC 技術，使其成為可靠的理想選擇。

 

Wolfspeed 宣布新推出的 Wolfspeed WolfPACK™  功率模塊，通過采用 1200V Wolfspeed® MOSFET 技術，該新型模塊在簡單易用的封裝內實現(xiàn)效率最佳化，從而幫助設計人員開發(fā)出尺寸更小、擴展性更好的電源系統(tǒng)，并顯著提升其效率和性能。擴展其解決方案范圍，并為包括電動汽車快速充電、可再生能源和儲能、工業(yè)電源應用在內的各種工業(yè)電源的性能開啟新時代。

 

Wolfspeed 功率產品高級副總裁兼總經理 Jay Cameron 表示：“Wolfspeed WolfPACK™ 功率模塊的推出，擴展了我們的功率產品組合，覆蓋了高電壓功率應用的更廣范圍。這將幫助一系列高增長產業(yè)的變革，伴隨著全球從 Si 向 SiC 轉型的持續(xù)加速。功率密度的最大化和設計復雜度的最簡化對于在中功率領域工作的工程師至關重要。該新型模塊簡化了布局，幫助加快電動汽車快速充電和太陽能基礎設施的生產。”

 

持續(xù)出色的創(chuàng)新研發(fā)與豐富的產品方案，讓Wolfspeed在 SiC碳化硅和GaN-on-SiC碳化硅基氮化鎵業(yè)務也獲得廣泛合作。在過去的幾年里，Wolfspeed加速市場拓展步伐，通過一系列的業(yè)務合作為其發(fā)展提供持續(xù)動能。

 

2018年2月28日，CREE宣布與英飛凌簽署長期協(xié)議，為英飛凌生產和供應Wolfspeed SiC碳化硅晶圓片。該項供應協(xié)議價值超過1億美元，科銳將向英飛凌供應150 mm SiC碳化硅晶圓片，將幫助英飛凌在包括光伏逆變器和電動汽車等高增長市場擴展產品供應。同年4月，為了加速這類新市場的增長，科銳正在對用于GaN氮化鎵電源管理系統(tǒng)的GaN氮化鎵功率器件專利開展授權。CREE宣布與荷蘭Nexperia公司簽署非排他性、全球性的付費專利許可協(xié)議。通過這一協(xié)議，Nexperia將有權使用科銳GaN氮化鎵功率器件專利組合，包括了超過300項已授權美國和國外專利，涵蓋了HEMT（高電子遷移率場效晶體管）和GaN氮化鎵肖特基二極管的諸多創(chuàng)新。這一專利組合針對新型器件結構、材料和工藝提升，以及封裝技術。這一專利授權不包括技術轉讓。

 

2019年5月14日，CREE成為大眾汽車集團FAST項目SiC碳化硅獨家合作伙伴，該合作將助力加速EV電動汽車市場轉型。9月7日，CREE宣布與安森美半導體簽署多年期協(xié)議，將向安森美半導體供應價值8500萬美元的先進150mm碳化硅（SiC）裸片和外延片，用于EV電動汽車和工業(yè)應用等高速增長的市場。9月9日，CREE與德爾福科技宣布開展汽車碳化硅（SiC）器件合作。

 

2019年11月5日，CREE與德國采埃孚（ZF Friedrichshafen AG）宣布達成戰(zhàn)略合作，雙方達成戰(zhàn)略合作協(xié)議，推進采用SiC基逆變器的電驅動動力總成開發(fā)，開發(fā)業(yè)界領先的高效率電傳動設備。11月18日，CREE與ABB電網事業(yè)部宣布SiC合作，共同擴展SiC在快速增長大功率半導體市場的采用。協(xié)議內容包括在ABB種類齊全的產品組合中將采用科銳Wolfspeed SiC基半導體，這將助力科銳擴大客戶基礎，同時加快ABB進入正在快速擴大的電動汽車（EV）市場。11月19日，CREE宣布與意法半導體簽署多年協(xié)議，將為意法半導體STMicroelectronics生產和供應Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圓片。該協(xié)議包括，在目前這一碳化硅（SiC）功率器件非同尋常的增長和需求時期，科銳將向意法半導體供應價值2.5億美元的先進150mm碳化硅（SiC）裸片和外延片，幫助提升意法半導體SiC（碳化硅）在汽車應用和工業(yè)應用中的滲透。

CREE首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示：“SiC所帶來的性能提升，對于電動汽車以及包括太陽能、儲能和不間斷電源UPS系統(tǒng)在內的下一代工業(yè)解決方案至關重要。CREE始終致力于引領半導體產業(yè)從Si向SiC的轉型。與意法半導體協(xié)議的延伸，將保證我們可以滿足在全球范圍內諸多應用領域對于SiC基方案加速增長的需求，同時加速這一市場。”

 

小結：目前，CREE正在紐約州 Marcy 建造全球最大的碳化硅 (SiC) 制造工廠。這一全新的、采用領先前沿技術的功率和射頻制造工廠，將滿足車規(guī)級標準和 200mm 工藝。與此同時，位于公司總部北卡羅萊納州達勒姆市的超級材料工廠 (mega materials factory) 的建設也在進行之中。這一全新的制造工廠將顯著提升用于 Wolfspeed 碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 業(yè)務的產能，將建設成為一座規(guī)模更為龐大、高度自動化且具備更高生產能力的工廠。

 

相信，CREE這次徹底更名為 “Wolfspeed”也順應公司當前業(yè)務發(fā)展戰(zhàn)略，在經過徹底剝離LED及照明產品業(yè)務，通過收購、擴產和廣泛市場合作，讓其成為更加純粹的第三代半導體公司，業(yè)務更加聚焦于功率和射頻（RF）半導體領域。隨著新型 Wolfspeed WolfPACK 模塊的推出，Wolfspeed 的功率產品組合現(xiàn)已覆蓋整個應用范圍，可為設計人員提供適合各種應用（從單千瓦設計到兆瓦系統(tǒng)）的解決方案。Wolfspeed WolfPACK 模塊不僅能夠提供出色的性能，還能提供卓越的靈活性和可擴展性。與此同時，在全球激增的市場需求下，讓我們也對Wolfspeed未來的發(fā)展和市場表現(xiàn)充滿期待！（文/Jack Chen）