1月24日，蘇州工業園區科技領軍人才企業蘇州納維科技有限公司舉行總部大樓奠基儀式。項目占地面積超1.4萬平方米，總建筑面積超3.4萬平方米，建成后，年產氮化鎵單晶襯底及外延片可達5萬片。

蘇州工業園區黨工委副書記、管委會主任丁立新，中科院蘇州納米所書記、副所長鄧強，蘇州市科技局原黨組書記吳偉澎，園區黨工委委員、管委會副主任倪乾，園區科技創新委員會主任徐積明等參加活動。
 

蘇州工業園區黨工委委員、管委會副主任倪乾在致辭中表示，感謝納維科技十多年來，扎根園區的堅守與付出。他表示，此次開工奠基，標志著納維科技的發展再邁上新臺階。園區也將始終堅持創新引領，推動包括第三代半導體在內的新興產業創新發展，一如既往做好親商服務，助力納維科技在內的優秀企業加速成長，為創新企業提供更廣闊的舞臺，幫助其盡快做大做優做強。

據了解，蘇州工業園區作為國內產業鏈較完整、企業集聚度較高、人才儲備和技術開發水平較領先的區域之一，園區經過多年發展，已形成以“設計-晶圓制造-封裝測試”為核心，以設備、原材料及服務產業為支撐的集成電路產業鏈，在MEMS、化合物半導體、光通信等細分領域擁有較好的產業基礎，并持續加大第三代半導體相關產業鏈和創新鏈布局。

 

第三代半導體產業是我國具有“創新主動權”的新興產業，是推動5G、新能源等戰略性產業發展的關鍵基礎，作為其中的杰出代表，納維科技自成立以來致力于第三代半導體產業核心關鍵材料氮化鎵單晶襯底的產業化開發。

蘇州納維科技有限公司2007年由中科院蘇州納米所徐科研究員創立，致力于第三代半導體核心關鍵材料——氮化鎵（GaN）單晶襯底的研發與產業化。企業始終秉承技術創新，持續做大做強，經過十多年努力，率先實現了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產、完成了4英寸產品的工程化技術開發、突破了6英寸的關鍵核心技術，成為國內唯一一家能夠同時批量提供2英寸高導電、半絕緣氮化鎵單晶的企業，產品性能國際領先，并先后獲得蘇州市首屆姑蘇雙創人才、園區首批科技領軍人才企業等榮譽。

 

蘇州納維科技有限公司董事長徐科表示：“總部大樓奠基標志著納維科技將在市場、生產、研發全面發力。納維科技能夠得以快速發展，完全得益于蘇州這片沃土，在蘇州納維科技的總部基地,我們將一如既往、繼續深耕細作，努力實踐每畝200萬元稅收的先行先試，打造出國際前三的GaN單晶襯底的研發基地與高端產品生產基地！”