射頻技術的進步正在推動無線系統的發展。它是通訊和雷達的關鍵支撐技術，主要用于商業和軍用航空、空中交通管制、氣象服務、飛機對衛星通信、太空探索等導航和安全系統。在這些領域早期應用的硅和砷化鎵半導體，是無法與能夠提供的更寬帶寬、更高功率密度和更高效率的SiC基GaN器件所相提并論。在測試高功率寬帶隙SiC基GaN射頻器件時，雷達和通信系統的作用范圍更廣以及性能更長。SiC基的GaN HEMT器件的平均準確率為每十億次/小時，僅有8.6次失敗，平均壽命為6800年。

一架商用飛機包含多達六百萬個零件，其中數千個是電子設備，每個航班每秒切換一次電流，以安全地每年運送十億以上的旅客。這些數字使世界各地的設計師開始轉向更輕、更小、切換速度更快的SiC基GaN射頻器件。
 

基于雷達的識別系統在商業和軍用航空中是常規的。可以將每架飛機的身份特征、位置和方位進行實時廣播，以使管制員能夠安全地將它們引導。設計人員已經可以使用SiC基GaN微波（MMIC）射頻晶體管陣列，從而在L波段，S波段，C波段，X波段和Ku波段雷達中實現更高的性能。

 

無論是第一響應者的手持無線電，還是海底到陸地還是地球到太空，系統架構師都知道他們的客戶需要可靠/高效的通信線路。多帶寬、高功率密度LDMOS FET和GaN HEMT先進封裝，能夠承受極端的熱、冷和濕氣，并且能夠提供高增益和低熱阻。

 

對于需要流媒體功能的機上WiFi的航空承運人來說，讓乘客滿意是他們的首要任務。SiC基GaN射頻器件技術支持的高吞吐量衛星（HTS），更可為多載波流提供完整的視頻帶寬-最快的比特/秒/ MHz。

 

此時此刻，空中有9000多架戰機，每架都由TCAS系統追蹤。通過SiC基GaN HEMT器件和其他雷達系統組件能夠輕易地將他們引導分開從而避免碰撞。并且SiC基GaN射頻器件將提供行業領先的功率密度，更高的擊穿電壓，更高的導熱率和更好的物體辨別能力的同時，又消耗更少的能量。

 

在您看到風暴之前，就會意識到它是突破性技術。更早地了解風暴的位置、速度、大小、密度和方向，能夠改變風暴帶來的后果。知識就是力量，尤其是SiC基GaN射頻器件HEMT運用到監測雷達中。這使雷達系統和寬帶工程師能夠獲得更高的效率和更高的功率密度，從而能夠更早、更清晰地進行檢測。這些HEMT既有封裝形式又有裸片形式，可以為雷達、電子戰、ECM和商業ISM系統帶來先進的功能。

 

基于雷達的空中交通管制系統已經使飛機在世界上空飛行了很長時間，以至于很少有旅客對此有所考慮。對于那些致力于使這些系統更高效，更安全的人們來說，這是唯一的想法。ATC的骨干網是無線電信標，它結合了VHF單向范圍（VOR）和測距設備（DRE），該測距設備通過對機載飛機應答器的無線電信號的響應延遲進行定時來跟蹤飛機。當飛機在起飛后過渡到其他空域時，將控制權移交給以其他指定頻率運行的遠程雷達系統，然后在到達場移交給VHF ATC。在整個旅程中，頻率必須每秒轉換（切換）數百次，以安全地保持恒定的位置定位。SiC基GaN射頻技術可實現飛機安全和制導所需的各種ATC系統的功能。采用SiC基GaN射頻晶體管制作的MMIC功率放大器，支持跨越L，S，C，X和Ku-Band的應用，并提供業界最小，最輕，最有效和最高性能的解決方案，其可靠性已通過數十億小時的工作時間。

 

與VHF ATC一樣，DME可以通過定時無線電信號延遲來運行，并允許飛機飛行安全，準確的起飛和進近路徑。但是，DME是一種更精確的UHF系統，它可以測量飛船與地面站之間的距離以及其高度，以確定“傾斜角”。將雷暴或高空交通與目標以600節以上的速度改變矢量的目標結合起來，整個過程都在進行。GaN on SiC技術實現了更高的開關速度，可提供異常有效的空間多路復用，這是MMIC的超級能力，同時進行信號切換（多進，多出）。堅固的SiC基GaN器件經過現場驗證，可以承受這些系統必須在的極端高溫、寒冷和高濕度條件下使用。
 

TACAN在功能上與DME非常相似，但更為精確，通常用于地面設施，海上和飛機上的軍事系統。TACAN通常與民用VOR站并置在一起，作為雷達象限網絡的一部分，統稱為國家空域系統（NAS）。TACAN的機載和機載系統要求高效率和高性能，但尺寸和重量受到嚴格限制。SiC 基RF組件上的寬帶隙GaN提供的熱導率是硅系統的三倍，從而使器件能夠以更高的電壓和更高的功率密度運行，而組件的尺寸要小約20％。

 

SSR與主要雷達結合，以將補充數據從機載應答器傳送到商用，軍用和通用航空飛機的控制器。SSR和初級系統在頻率上有所不同，以消除混亂和干擾。當與SiC基GaN器件器件配合使用時，系統工程師可以兌現其高穩定性承諾，即采用世界上最可靠的SiC基GaN RF晶體管和MMIC功率放大器來最大化安全性和檢測能力。