
自去年美國實施芯片禁令以來,國產科技企業就深徹認識到了基礎科技的重要性,國產半導體的發展目標只有一個,那就是擺脫“卡脖子”的窘境,實現科技自主。
在硅基芯領域,光刻機是制造生產的主要設備,這也是我們最薄弱的環節,雖然說不上空白,但國內最先進的光刻生產公司上海微電子,只能生產28nm光刻機,與荷蘭ASML所制造的5nm工藝EUV光刻機相去甚遠。


在美國看來,光刻技術是我們無法逾越的屏障,是拖緩我國高科技發展的一招“秒棋”。然而最近華為在芯片技術上的一項破冰,讓美國人頓感恐慌,美國媒體更是感嘆:太快了。
事實上,在早些年,任正非就曾透露過華為在光芯領域所取得的成果,800G芯片的制造技術領先全球。
而日前,華為在光芯領域再度破冰,掌握了芯片對模塊的超高速調整技術。
光芯片與硅基芯片不同,光芯采用的是華為自研的光數字信號處理技術,這類芯片可以解決傳統硅芯片卡頓的問題,并且穩定性更好、運行速度也更高,重點是光芯暫時還沒有出現物理極限的說法,制造工藝并不涉及光刻技術。


在光芯的制造產線這方面,華為也早有布局。去年下半年,華為委托中建八局,在武漢建立的光芯廠已經封頂。顯而易見,這個上百億美元規模的光芯廠,正是華為實現芯片自主所提前做的準備工作。
以華為公司“要么不做,要做就做最好”的行事風格,通過光芯領域打通芯片自主的道路完全可行。
這意味著,美國費盡心機的封鎖計劃將泡湯了,遏制不住華為,美國想在5G時代翻身只會是空想。

之所以這場科技博弈會持續三年之久,就是因為一向處通信領域霸主的美國不愿在5G時代丟失市場主導權。要知道在4G時代,美國一直在利用本土科技企業的技術優勢,通過設備后門對他國進行監視,而華為5G的橫空出世,堵上了美國窺視他人的“大門”。
而且華為5G技術設備至少領先他們3-5年,美國深知在5G領域拼硬實力毫無勝算,所有才會利用基礎技術的優勢進行打壓,妄圖重新掌握通信領域的主導權。
不過以目前的形勢看,美國到頭來只會搬起石頭砸自己的腳。


國產科技企業在連番大棒的“鞭策”之下,已丟掉了依賴的陋習,愈發沉穩的中國企業與科研機構開始通力合作,眼光已經不再局限于光刻機了,而是各個領域都在加速實現國產替代化的步伐。
不管是芯片還是光刻機,都只是中國科技崛起的一道考驗,正所謂不吃敗仗,怎么知道大勝仗。
芯片禁令后,華為經過幾個月的調整,已經重新起航,光芯領域再度破冰只是開始,相信未來會有更多的好消息不斷傳來。