近日，由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）與第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，南方科技大學微電子學院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。

 

期間，由廣東芯聚能半導體有限公司，中電化合物半導體有限公司，英諾賽科(珠海)科技有限公司共同協辦的功率電子器件及封裝技術分會上，浙江大學特聘副研究員任娜帶來了SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性問題的研究，分享了近期研究成果介紹，并分享了具體的SiC器件可靠性提升方法。

 

當前國際上650V-1200V電壓等級的SiC MOSFET商業產品已經從Gen 2發展到了Gen 3，隨著技術的發展，元胞寬度持續減小，比導通電阻持續降低，器件性能超越Si器件，可靠性問題有待進一步改善。
 

我國SiC器件發展來看，現階段水平，芯片實現4英寸小批量量產，采用平面柵結構技術路線，工藝技術和器件性能相當于國際上一代（Gen 2）的水平。未來發展方向：急需攻關6英寸SiC材料生長技術以及6英寸晶圓量產，溝槽柵工藝和先進柵氧工藝技術，并全面提升器件的可靠性。

SiC MOSFET器件目前仍然存在一系列可靠性問題，比如閾值電壓漂移現象，短路承受時間較短，雪崩耐量較低，浪涌電流承受能力較差等。

器件技術迭代發展，器件可靠性提升方法，涉及結構優化、工藝改進、散熱優化等三要素。

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）