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國星光電章金惠:從Mini到Micro LED技術演變的思考、問題及進展

日期:2020-12-07 來源:第三代半導體產業網閱讀:471
核心提示:由華燦光電股份有限公司、佛山市國星光電股份有限公司、北京北方華創微電子裝備有限公司共同協辦的“Mini/Micro-LED新型顯示技術”分會上,佛山市國星光電股份有限公司主任工程師章金惠分享了從Mini到Micro LED技術演變的問題、思考及進展,分享了最新技術進展。
 近日,由國家半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)與第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)主辦,南方科技大學微電子學院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA 2020)暨2020國際第三代半導體論壇(IFWS 2020)在深圳會展中心召開。
章金惠
期間,由華燦光電股份有限公司、佛山市國星光電股份有限公司、北京北方華創微電子裝備有限公司共同協辦的“Mini/Micro-LED新型顯示技術”分會上,佛山市國星光電股份有限公司主任工程師章金惠分享了從Mini到Micro LED技術演變的問題、思考及進展,分享了最新技術進展。
 
LED顯示技術朝4K/8K超高清顯示發展,分辨率越高,像素尺寸微縮化方向發展。報告指出,2018年開始LED顯示屏到P1.0~P0.4 Mini LED顯示時代。P1.0~P0.4 Mini LED顯示的封裝技術包含SMD、IMD和COB。Micro LED技術面臨結構設計、工藝開發、可靠性、系統集成等四大挑戰。Micro LED顯示封裝產業化則面臨著新材料、新設備、新結構以及良率成本等問題。


Micro LED前景雖可期,但現階段的技術尚不到位。由于Micro LED需要處理極高數量與極小尺寸的芯片,在其顯示封裝技術與產業化面臨多項挑戰:結構設計方面,傳統分立器件貼裝結構,除我司獨有的IMD封裝技術外,其他均難以達到P0.X要求,超薄、超高清等顯示要求對Micro LED顯示封裝結構提出新挑戰;工藝開發方面,Micro LED顯示制造技術從實現路徑到成本良率面臨諸多挑戰,包括芯片制造、巨量轉移與鍵合、全彩化顯示等技術難題;可靠性方面,Micro LED顯示屏用器件劇增,巨量集成導致焊接、封裝質量和壞點維修難度大;系統集成方面,系統關鍵技術指標暫無統一規范的指導標準,Micro LED顯示暫無豐富內容和終端支持。


目前,國星光電在Micro LED領域已實現了較大的技術突破,在第一代Micro LED顯示屏的基礎上,已與面板廠合作開發出基于TFT玻璃背板的主動式驅動Micro LED全彩顯示屏。近日,采用自主研發的巨量轉移技術,已經初步實現250PPI以上紅/綠/藍單色轉移鍵合點亮。
 
預計明年將實現P0.1以下的主動式驅動全彩顯示及P0.0x以下的被動式驅動單色顯示,未來可滲透在4k/8k大尺寸電視顯示屏、車載顯示屏、穿戴設備顯示設備、AR/VR等應用市場。
 
目前國星光電已成立國星研究院、微顯示企業重點實驗室、Micro&Mini LED研究中心三大創新科研平臺,通過開放合作的模式,加強與學術界及產業界協作,聯手產業鏈上中下游各個環節,集中優勢資源攻克微顯示行業技術性難題,合力打破技術發展瓶頸,并積極研發定制化、先進的LED顯示封裝解決方案,推動科研技術成果孵化,共同推進Micro LED產業化,實現共贏。
 
(內容根據現場資料整理,如有出入敬請諒解)
 
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