近日，由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）與第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，南方科技大學微電子學院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。
 

期間，由廣東芯聚能半導體有限公司，中電化合物半導體有限公司，英諾賽科(珠海)科技有限公司共同協辦的功率電子器件及封裝技術分會上，美國康奈爾大學電氣和計算機工程教授Huili Grace XING帶了視頻報告，分享了關于GaN電力電子及其基本極限的最新研究進展。

在寬禁帶半導體中同時實現n型和p型越來越困難。也有諸多的問題待解決，比如它對超寬禁帶半導體中電力電子的設計原理有何影響？與半絕緣區（例如，在流行的GaN-HEMT基功率晶體管中）相比，p區在電力電子器件中扮演什么根本不同的角色？沒有p型的幫助，肖特基勢壘等單極器件的實際基本極限是什么？像GaN這樣的極性半導體家族有哪些獨特的優勢？什么是極化摻雜？極化摻雜和雜質摻雜有什么本質區別？報告回顧l了過去20年來我們在GaN電力電子器件方面為尋求這些問題的答案以及實現最先進的器件所做的努力，以及最新的成果進展。
 

Huili Grace XING表示研究工作得到了ARPAe交換機、AFOSR FA9550-17-1-0048和NSF DMREF 1534303的部分支持，利用了CNF（NSF ECCS-1542081）、CCMR（NSF MRSEC DMR-1719875）的共享設施和DMR-1338010支持的設備。
 

Huili Grace Xing目前是康奈爾大學電氣與計算機工程材料科學與工程的William L. Quackenbush教授。從2004年到2014年，她就職于圣母大學。她分別取得了北京大學物理學學士學位（1996年） 理海大學材料科學碩士學位（1998年）和加利福尼亞大學圣巴巴拉分校的電機工程博士學位（2003年）。她的研究重點是III-V型氮化物，2-D晶體，氧化物半導體，最近研究多鐵性材料，磁性和超導材料的開發：生長，電子和光電器件，尤其是材料性能與器件開發以及高性能器件之間的相互作用，包括RF / THz器件，隧道場效應晶體管，功率電子器件，DUV發射器和存儲器。她曾獲得AFOSR青年研究者獎，NSF職業獎和ISCS青年科學家獎。她是APS的會員。她已撰寫/與他人合著了240多種期刊論文和110多種會議論文集，包括《自然》雜志，《物理評論快報》，《應用物理快報》，《電子設備快報》和IEDM等。

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）