25日上午，功率電子器件及封裝技術分會氮化鎵專場如期召開。本屆分會由廣東芯聚能半導體有限公司，中電化合物半導體有限公司，英諾賽科(珠海)科技有限公司共同協辦。
 

碳化硅、氮化鎵是重要的第三代半導體材料。在大功率高頻器件中具有重要的應用，其材料水平直接決定了器件的性能。分會期間，美國康奈爾大學電氣和計算機工程教授Huili Grace XING，南方科技大學深港微電子學院院長、教授于洪宇，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員孫錢，北京大學副教授王茂俊，中國空間技術研究院北京衛星制造廠鄭研，電子科技大學教授周琦，英諾賽科（珠海）科技有限公司工藝制程開發總監謝文元，中山大學黎城朗等來自國內外科研院所、企業的精英代表帶來精彩報告，分享前沿研究成果。電子科技大學教授張波和中山大學電力電子及控制技術研究所所長,教授劉揚共同主持了本場分會。

 

美國康奈爾大學電氣和計算機工程教授Huili Grace XING帶來了視頻報告，分享了氮化鎵功率電子與相關基本性能限制。

 

南方科技大學深港微電子學院院長、教授于洪宇分享了Si基GaN功率器件及其電源系統的關鍵技術研究進展，介紹了寬禁帶半導體器件研究進展，包括GaN-HEMT優化、使用GaN-HEMT的電源適配器、GaN傳感器、諧振器和濾波器、Beta-Ga2O3 MOSFET等，并表示，南方科技大學已成立第三代半導體研究所和5G中高頻器件制造中心，以推動WBS的研發。重點研究GaN功率器件、GaN射頻器件、GaN傳感器和濾波器。

 

中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所周宇帶來了硅基GaN增強型HEMT電力電子器件的研究成果。分享了硅基GaN HEMT材料研究基礎，p-GaN柵增強型HEMT的關鍵技術。

 

北京大學尹瑞苑做了題為”氮化鎵MIS結構界面相關陷阱態：物性、表征及模型“的主題報告，報告指出，界面性質是影響MIS結構的重要因素，可以通過AFM、XPS、TEM、EDX等手段進行檢測。邊界陷阱可以通過低頻噪聲、交流gm、準靜態電容、閾值電壓漂移測量來評估。同時考慮溝道電阻和邊界陷阱效應的分布式網絡模型很好地描述了大溝道電阻MIS二極管的阻抗頻散特性。

 

中國空間技術研究院北京衛星制造廠鄭巖帶來了”寬禁帶功率器件的宇航應用技術“的主題報告，報告顯示，寬禁帶半導體材料及器件在宇航領域應用前景廣闊，可支撐新一代航天器大功率電源系統；GaN功率器件主要應用于分布式電源系統，形成新一代高效輕量化電源；SiC材料及器件主要應用于大功率高電壓電源系統、耐高溫傳感器等，形成高效、高可靠驅動模塊、高壓模塊和混合能源系統功率模塊等產品；國外已經推出部分宇航級功率器件產品，但仍然處于探索階段，寬禁帶功率器件在耐空間環境、適應高頻高功率密度的高可靠封裝、驅動及控制、應用驗證及評價等方面仍然存在較大的差距，需要持續開展深入的研究工作。

 

電子科技大學教授周琦分享了基于超薄勢壘AlGaN/GaN異質結與混合陽極二極管技術的微波混頻器與功率整流器的最新進展。報告指出，實際應用推動了GaN功率器件技術的發展。GaN二極管在分立器件和功率集成中都有重要作用。

 

英諾賽科（珠海）科技有限公司工藝制程開發總監謝文元分享了八英寸硅基氮化鎵產業化進展。硅基氮化鎵技術進步飛速，未來面對智慧城市及家居，新基建，現代工業，新能源汽車，再生能源等諸多應用領域，可能會迎來萬億級的新市場。硅基氮化鎵在快充領域已有應用，低壓氮化鎵在人工智能，Lidar等領域有應用機遇。

 

中山大學黎城朗分享凹槽深度對GaN槽柵型縱向導通晶體管電學特性的影響研究的最新進展。

 

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）