第三代半導體也被稱為寬帶隙半導體，主要是以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的半導體材料，可應用于光電、電力電子和微波射頻等領域，其中，碳化硅目前主要是用在650V以上的高壓功率器件領域，而氮化鎵主要是用在650V以下的中低壓功率器件領域及微波射頻和光電領域。第三代半導體是5G、人工智能、工業互聯網等多個“新基建”領域的重要材料，也是各國半導體研究領域的熱點。

 

業內人士指出，今年第三季度以來，電子行業5G向上周期、半導體國產替代等產業邏輯持續兌現，新興應用催生增量需求，帶動市場需求和景氣度持續提升。據東吳證券統計，隨著第三季度電子行業旺季的來臨，消費電子、半導體龍頭正在實現快速增長。

 

長期而言，受到汽車、航天電子、電源、太陽光電（PV）逆變器以及工業馬達等需求驅動，未來十年，行業發展規模有望迅速增長。市場研究公司Omdia預計，2020年底，全球SiC和GaN功率半導體的銷售收入將達到8.54億美元，到2029年將超過50億美元。其中，以SiC和GaN為代表的第三代功率半導體器件市場有望以18%的速度穩步成長。

 

微觀層面，近期披露的三季報數據顯示，第三代半導體廠商業績普遍符合預期。聚燦光電三季報顯示，公司2020年1至9月實現營業收入10.06億元，同比增長27.66%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為1646.43萬元，同比增長15.73%。新潔能前三季度實現營業收入6.66億元，同比增長22.8%；實現歸母凈利潤1.01億元，同比增長61.2%。英唐智控前三季度凈利潤同比增幅也達到82.17%。

 

業內人士表示，第三代半導體是我國半導體產業發展的重要突破口。在10月27日舉行的第三屆第三代半導體及智能制造論壇上，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲指出，第三代半導體契合我國未來產業發展方向，屬于風口上的新興產業。不過，她同時表示，我國第三代半導體產業在材料、基礎設施、工藝等方面依然面臨一些挑戰，需要密集的人才技術支撐以及材料、裝備等全產業鏈條的高度配合。

 

國星光電也指出，就目前第三代半導體產業來看，我國在光電大部分領域實現領跑，而在功率器件及射頻器件方面的發展還處于跟跑和并跑階段。因此，我國第三代半導體器件的研究極其迫切，需加快產業發展。