功率半導體家族又迎來一家新上市公司，他就是新潔能（605111）。同樣是細分領域國內龍頭，今天就來從基本面了解下。
新潔能（605111）：
無錫新潔能是國內功率半導體芯片及器件設計龍頭。主營為功率半導體芯片和器件的研發、設計及銷售。公司深耕半導體功率器件行業，是國內最早專門從事MOSFET、IGBT研發設計的企業之一，具備獨立的芯片設計能力和自主工藝流程設計平臺。
新潔能具備完善的MOSFET產品矩陣，技術實力和銷售規模處于國內領先地位。公司基于全球半導體功率器件先進理論技術開發領先產品，是國內率先掌握超結理論技術，并量產屏蔽柵功率MOSFET及超結功MOSFET的企業之一；也是國內最早同時擁有溝槽型功率MOSFET、超結功率MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET及IGBT四大產品平臺的本土企業之一。公司目前已成長為國內8英寸先進工藝平臺芯片投片量最大的半導體功率器件設計公司之一、是國內唯一一家完全基于8英寸芯片工藝平臺開發設計MOSFET和IGBT產品的功率半導體設計類龍頭企業。于2016-2019連續4年名列中國半導體功率器件十強企業。
根據IHS數據，2016、2017、2018年，公司MOSFET占國內市場份額分別為2.88%、2.83%、3.65%，市場份額逐步提升，是除英飛凌（Infineon）、安森美（ONSemiconductor）、瑞薩電子（RenesasElectronics）等 9 家外資品牌外，國內排名前茅的MOSFET研發設計及銷售本土企業。
公司產品按照是否封裝可以分為芯片和功率器件兩類。公司主要負責設計方案，制造和封裝委托外部企業完成。公司是國內8英寸先進工藝平臺芯片投片量最大的功率器件設計公司之一。目前公司初步完成先進封裝測試產線的建設，具有小批量封裝能力。
公司產品種類齊全，下游應用領域覆蓋廣闊。目前主要產品包括12V~200V溝槽型功率 MOSFET、30V~300V屏蔽柵功率MOSFET、500V~900V超結功率MOSFET和600V~1350V 溝槽柵場截止型IGBT，下游應用領域覆蓋消費電子、汽車電子、工業電子以及新能源汽車/充電樁、智能裝備制造、物聯網、光伏新能源等領域。
新技術領域，公司目前已擁有"高浪涌電流能力碳化硅二極管""一種高耐壓的碳化硅肖特基二極管"等多項相關專利，并積極推進"SiC 肖特基二極管工藝技術"、"氮化鎵功率 HEMT 工藝"等研發項目。
高管與科研團隊：
核心管理和科研團隊均具有多年的功率半導體研發、管理從業經驗，多人曾有國內半導體領先企業的相關工作經歷，起點高、實力強，為公司成立以來的快速成長打下扎實基礎。
控股股東、實際控制人朱袁正先生直接持有公司23.34%股權（同時朱袁正分別與葉鵬、王成宏等共計10名股東簽訂有關一致行動的協議）。朱袁正先生亦是公司技術創新領軍人物，在半導體行業內擁有超過30年的研究和工作經歷，是國內MOSFET 等半導體功率器件領域研究及產業化的親歷者和先行者。以其為領軍人物的公司研發團隊，是國內最早一批專注于 8 英寸晶圓片工藝平臺對 MOSFET、IGBT 等先進的半導體功率器件進行技術研發和產品設計的先行者之一，在該領域具有雄厚的技術實力和豐富的研發經驗。
截至2020年1月19日，公司擁有97項專利，其中發明專利35項、實用新型59項，外觀設計3項。
客戶情況：
公司通過較強的產品技術、豐富的產品種類、優良的產品質量已為多個下游細分領域龍頭客戶供貨。功率器件行業上下游產業鏈之間具有高度的黏性，下游應用行業對產品質量和供應商的選定有嚴格的要求，一旦對選用的功率器件產品經過測試、認證并規模化使用之后將不會輕易更換。隨著公司品牌知名度提高，未來有望在國產替代的大趨勢下實現高速成長。
財報業績：
2019公司營收7.73億元，同比增長7.9%。2020 H1實現營業收入3.84億元，同比增長17.0%。2019年公司受中美貿易摩擦、功率半導體行業競爭加劇以及8英寸晶圓代工成本上漲等因素影響，銷售毛利率及凈利率有所下滑，實現凈利潤9821萬元，同比下降30.6%。2020 H1，公司利潤率有所回升，實現凈利潤5534萬元，同比上升47.8%，業績反彈增長。
公司功率器件和芯片的營收占比分別為76%和24%，功率器件占營收比例呈逐年上升趨勢。隨著公司功率器件細分型號不斷豐富、品牌知名度不斷提升、資金實力不斷增強，公司主動提升MOSFET器件的銷售占比以賺取更多利潤。
行業趨勢：
分立器件行業是半導體產業的重要分支，亦是電力電子產品的基礎之一。主要用于電力電子設備的整流、穩壓、開關、混頻等，具有應用范圍廣、用量大等特點，在消費電子、汽車電子、電子儀器儀表、工業及自動控制、計算機及周邊設備、網絡通訊等眾多國民經濟領域均有廣泛的應用。
IHSMarkit數據顯示，2018全球功率器件市場規模約為391億美元，預計至2021年市場規模將增長至441億美元，CAGR為4.1%，其中MOSFET和IGBT有望成為未來5年增長最強勁的功率器件。
功率器件已歷經數代發展。2008年，英飛凌（Infineon）率先推出屏蔽柵功率MOSFET，半導體功率器件的性能進一步提升。
國內市場而言，功率二極管、功率三極管、晶閘管等分立器件產品大部分已實現國產化，而 MOSFET、IGBT等分立器件產品由于其技術及工藝的先進性，還較大程度上依賴進口，未來進口替代空間巨大。
目前國內功率半導體產業鏈正在日趨完善，技術也正在取得突破。同時，中國也是全球最大的功率半導體消費國，2018年市場需求規模達到138億美元，增速為9.5%，占全球需求比例高達35%。預計未來中國功率半導體將繼續保持較高速度增長，2021年市場規模有望達到159億美元，年化增速達4.8%。
從技術實現和戰略需求兩個角度看，功率器件廠商有望加速實現國產化替代，行業前景長期向好。
1、戰略需求端，功率器件屬于關鍵核心零部件。參照"制造2025"技術路線圖，先進軌道交通裝備、節能與新能源汽車、電力裝備、高檔數控機床和機器人等已列為突破發展的十大重點領域。功率半導體在以上重點領域皆具有關鍵性作用，亟需自主可控，戰略地位突出。
2、從技術角度，相較于IC，功率器件更偏向于成熟、標準化產品，而并非依賴和追求先進制程，其產品競爭力主要由工藝和產線的水平決定。隨著國內半導體分立器件廠商逐步參與到國際市場的供應體系，以及下游行業大力創新對上游分立器件行業的驅動，我國半導體分立器件行業已獲得長足發展，并逐步形成對國外產品的替代。
整體來說，公司MOSFET產品矩陣完善，技術實力領先，是國內少數幾家能夠研發設計并量產先進的屏蔽柵MOSFET和超級結MOSFET的廠家之一。公司專注研發，利用募投項目進行"超低能耗高可靠性半導體功率器件研發升級及產業化"及第三代半導體功率器件項目建設，為公司產品高端化和長期發展奠定基礎。公司創立初期采用 Fabless 模式運營，將有限資源投入到研發中，取得快速成長。現階段公司開始自建封測產線，加強對功率半導體核心封測環節的控制，有利于與設計環節形成協同優化，并為公司長期發展提供保障。
