值得注意的是，聚燦光電今日漲停也是該股自9月15日見頂以后，時隔近一個半月后再次錄得漲停。此外，在前期炒作中表現比較突出的干照光電、臺基股份、露笑科技等，今日也均有不錯表現。

 

從三季報看，半導體業績維持高增速，行業景氣度在延續。在經過幾個月的深幅調整后，半導體板塊調整充分，上半年過度上漲帶來的高估值壓力，也得到了一定程度的消化。有市場人士分析，今日第三代半導體表現突出，主要是本次十四五規劃發布之前，半導體板塊并沒有像新能源板塊那樣被提前炒作，股價經過了明顯的調整，調整時間基本都在一個半月之上。因此，周五在大盤大跌時反而異軍突起，兆易創新等領漲股兩天累計漲幅已近20%，在此背景下第三代半導體今日順勢爆發，這表明目前有資金在做高低切換。

 

 

從今日第三代半導體板塊內漲幅居前的個股中不難看出，例如聚燦光電、干照光電、華燦光電等均為LED概念股。第三代半導體成為今日市場熱點，為什么疊加LED概念的股漲幅靠前，兩者之間有何聯系？

 

事實上，第三代半導體是指以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體材料。其中，氮化鎵材料廣泛應用于光電子器件，LED照明是典型的應用領域。干照光電于今年2月在互動易披露，公司與深圳第三代半導體研究院的合作是全方位多層次的深度合作，在該平臺上研發的技術包括但不僅限于氮化鎵和Micro-LED。

 

對此，有機構人士表示，機構看好Mini LED加速爆發機遇。高工LED預測，我國Mini LED應用市場規模在2018年僅3億元，2020年預計達到22億元。

 

 

第三代半導體的火爆，主要是受到兩方面因素的共同催化，一方面，受國家政策面影響，中國將大力支持發展第三代半導體產業寫入“十四五”規劃之中；另一方面，當前國內的人工智能、5G等產業的技術和應用發展向好，支撐了板塊內相關細分行業的業績。

 

在我國發力“新基建”的背景下，第三代半導體材料成了非常重要的技術支撐。今年4月，國家發改委首次官宣“新基建”的范圍，正式定調了5G基建、人工智能、工業互聯網等七大領域的發展方向。而以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為首的第三代半導體是支持“新基建”的核心材料。比如，以氮化鎵(GaN)為核心的射頻半導體，支撐著5G基站及工業互聯網系統的建設；以碳化硅(SiC) 以及IGBT為核心的功率半導體，支撐著新能源汽車、充電樁、基站/數據中心電源、特高壓以及軌道交通系統的建設。

 

根據Omdia的《2020年SiC和GaN功率半導體報告》顯示，2018年，全球碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體的銷售收入為5.71億美元，預計到2020年底增至8.54億美元。未來十年將保持年均兩位數增長率，到2029年將超過50億美元。根據Yole數據，到2024年SiC功率半導體市場規模將增長至20億美元，其中，汽車市場占SiC功率半導體市場比重到2024年預計將達50%。

 

 

在業內人士看來，第三代半導體更重要的意義是在功率器件領域，通過其特殊的材料特性，改進相關芯片及器件性能。

 

相較于第一代（硅、鍺為代表）、第二代（砷化鎵、磷化銦為代表）半導體材料，第三代半導體材料具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點，具有應用于光電器件、微波射頻器件、電力電子器件等的先天性能優勢，在新能源汽車、智能電網、量子計算機、移動通信設備和基站、光伏等應用領域具有廣闊應用前景。

 

隨著第三代半導體應用需求攀升，國際巨頭近年來也通過并購以及擴產來鞏固自身優勢。據CASA Research不完全統計，2019年國際半導體領域共有包括英飛凌、羅姆、意法半導體等企業通過并購推進其在第三代半導體領域的布局，材料、器件及模組標的均有涉及，整體涉及金額超過100億美元。

 

方正證券研報表示，第三代半導體國內外差距沒有一、二代半導體明顯。先發優勢是半導體行業的特點，Cree高市占率也印證了先發優勢的重要性。相較于Si，國產廠商對SiC研究起步時間與國外廠商相差不多，因此國產廠商有希望追上國外廠商，完成國產替代。

 

國信證券研報中也表示第三代半導體是中國大陸半導體的希望，并解釋了原因：

 

第一，第三代半導體相比較第一代第二代半導體處于發展初期，國內和國際巨頭基本處于同一起跑線。

 

第二，中國有第三代半導體的應用市場，我們可以根據市場定義產品，而不是像以前跟著國際巨頭做國產化替代。

 

第三，第三代半導體難點不在設備、不在邏輯電路設計，而在于工藝，工藝開發具有偶然性，相比較邏輯芯片難度降低。

 

第四，對設備要求相對較低，投資額小，國內可以有很多玩家。在資本的推動下，可以全國遍地開花，最終走出來幾家第三代半導體公司的概率很大。