- 完全集成的HBM2E內存接口解決方案，包括經過驗證的PHY和控制器，實現了業界最快的性能
- 新的性能標桿支持為人工智能/機器學習（AI/ML）訓練應用程序所要求TB級帶寬的加速器
- 與SK hynix和Alchip合作開發2.5D HBM2E內存系統解決方案，采用TSMC N7工藝和CoWoS?先進的封裝技術
- 提供無與倫比的系統專業知識，支持客戶并提供中介層和封裝參考設計，加快上市時間
加州圣何塞2020年9月10日 -- Rambus Inc.（NASDAQ:RMBS）是一家專注于使數據更快更安全并領先業界的silicon IP和芯片提供商。今天，宣布它的HBM2E內存接口解決方案實現了創紀錄的4 Gbps性能。該解決方案由完全集成的PHY和控制器組成，搭配業界最快的，來自SK hynix的3.6Gbps運行速度的HBM2E DRAM，該解決方案可以從單個HBM2E設備提供460 GB/s的帶寬。此性能可以滿足TB級的帶寬需求，針對最苛刻的AI/ML訓練和高性能的加速器計算（HPC）應用而生。
Rambus HBM2E 4Gbps 發送端眼圖
“基于Rambus取得的此成就，AI和HPC系統的設計師們進行系統設計時就可以使用來自SK hynix 以3.6Gbps的速度運行世界上最快的HBM2E DRAM,”SK hynix 發言人，產品計劃副總裁Uksong Kang說道。“今年7月，我們宣布全面量產HBM2E，可用于要求最高帶寬的最新計算應用程序。”
完全集成并已可投產的Rambus HBM2E內存子系統以4Gbps的速度運行，無需要求PHY電壓過載。Rambus與SK hynix和Alchip的合作，采用臺積公司領先的N7工藝和CoWoS?先進封裝技術，實現了HBM2E 2.5D系統在硅中驗證Rambus HBM2E PHY和內存控制器IP。Alchip與Rambus的工程團隊共同設計，負責中介層和封裝基板的設計。
臺積公司設計基礎設施管理部資深部長Suk Lee表示：“Rambus及其合作伙伴基于臺積公司先進的制程工藝和封裝技術所取得的進步，是我們與Rambus持續合作的又一重要成果。我們期待與Rambus繼續合作，以實現AI/ML和HPC應用程序的最高性能。”
“透過本次合作，Alchip在7奈米和2.5D封裝設計方面取得了顯著的成功，”Alchip Technologies首席執行官Johnny Shen說。“我們為Rambus的突破性成就所做的貢獻感到非常自豪。”
Rambus擁有30年的高速內存設計經驗，并將其應用于最苛刻的計算應用。其著名的信號完整性專業知識是實現能夠運行4 Gbps的HBM2E內存接口的關鍵。這為滿足AI/ML訓練中永不滿足的帶寬需求立下了一個新的標桿。
“隨著硅運算速度高達4 Gbps，對設計師們而言，可驗證未來HBM2E升級實現方向，并有信心為3.6 Gbps的設計提供充足的裕量空間。”Rambus IP core 總經理及資深總監Matthew Jones說道：“參與每個客戶項目過程，Rambus提供2.5D封裝和中介層提供參考設計，以確保任務關鍵型AI/ML設計一步到位成功實現。”
Rambus HBM2E內存接口（PHY和控制器）的優點：
- 實現了業界最高的每引腳4 Gbps的速度，基于單個3.6 Gbps HBM2E DRAM 3D設備提供460 GB的系統帶寬
- 完全集成和驗證的HBM2E PHY和控制器降低了ASIC設計的復雜性，加快了上市時間
- 包括2.5D封裝和中介層參考設計，作為IP授權的一部分
- 提供Rambus系統和SI/PI專家直接對接咨詢的管道，幫助ASIC設計人員確保元器件和系統的最好的信號和電源完整性
- 具有特色LabStation?軟件開發環境，有效隔離問題，協助客戶快速系統點亮、進行特性測試和調試除錯、
- 支持高性能應用，包括最先進的AI/ML訓練和HPC系統
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