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三星電子平澤工廠第二生產線開始量產

日期:2020-08-31 來源:電子創新網作者:winniewei閱讀:8

業界率先實現EUV制程第三代10納米級LPDDR5 DRAM量產

  • 實現DRAM量產后,預計生產新一代VNAND與超精細制程的晶圓代工產品
  • 憑借更快更薄的產品搶占移動設備市場,下一步進軍汽車電裝市場

韓國首爾2020年8月30日 -- 三星電子平澤工廠第二生產線正式開工,首發量產產品是采用了EUV(Extreme Ultraviolet,極紫外光刻)制程的16Gb(吉字節)LPDDR5移動DRAM,開創業界先河。

三星電子平澤工廠第二生產線的建筑面積達12.89萬平方米(相當于16個足球場),是全球最大規模的半導體生產線。

平澤工廠第二生產線首先實現DRAM量產,下一步計劃生產新一代VNAND、超精細晶圓代工產品等,是一條技術尖端的綜合生產線,將確保三星電子在第四次工業革命時代穩居半導體領域的核心地位。

平澤工廠第二生產線本次投放的16Gb LPDDR5移動DRAM 達到最大容量和最高速度,是第三代的10納米(1z)LPDDR5產品,性能超過以往任何一個產品。

三星今年2月推出了第二代10納米級(1y)制程,實現了 16Gb(吉字節)LPDDR5 DRAM的量產,短短六個月后勇攀高峰,再次升級生產線,生產出新一代1z制程的高新移動DRAM。

新產品較原有旗艦智能手機使用的12Gb移動DRAM(LPDDR5,速率5500Mb/s)提速16%,達到6400Mb/s。以16Gb產品為準,每秒可處理51.2Gb(吉字節)的數據,相當于10部全高清(Full HD)電影。

※ 速率:64幀(x64,JEDEC標準)封裝為標準最高可達51.2Gb/s

16Gb LPDDR5移動DRAM可以僅由8個芯片構成16Gb的產品,較先前產品(8個12Gb芯片+4個8Gb芯片)在封裝厚度上減少30%。從而為多攝像頭、5G等零部件較多的智能手機,以及折疊屏手機等對厚度有較高要求的產品提供最佳解決方案。

三星作為向全球智能手機企業提供新一代1z16GB移動DRAM的生產商,計劃搶占明年兼具5G通信和AI功能的旗艦智能手機新市場。同時三星電子計劃提供耐高溫性能的產品,有望將供貨范圍進一步擴大到汽車電裝用途。

三星電子存儲器事業部DRAM開發室副總裁李禎培表示,這次推出的1z納米16Gb LPDDR5產品克服了史上最難攻克的技術性難關,創造了產品的新典范,突破精細制程的最高界限,未來三星電子的高新DRAM生產線將繼續升級,更迅速地應對顧客需求,為擴大存儲器市場貢獻一份力量。

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