開發和制造高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)功率半導體的先驅Transphorm Inc.(OTCQB: TGAN) 宣布，該公司的第二款900 V GaN場效應晶體管(FET)現已投入生產。TP90H050WS的典型導通電阻為50毫歐，瞬態峰值額定值為1千伏，現已通過電子設備工程聯合委員會(JEDEC)認證。主要目標市場是廣泛的工業和可再生能源，包括光伏逆變器、電池充電、不間斷電源、照明和儲能等應用。此外，憑借900 V產品組合，Transphorm正逐步擴大電壓范圍，以涵蓋三相應用。

去年推出的TP90H050WS是該公司繼TP90H180PS之后的第二款900 V器件。雙芯片式常關型功率晶體管采用標準TO-247封裝，具有±20 V柵極魯棒性，從而提高其在電力系統中的可靠性和可設計性。Transphorm的高速GaN與耐熱性強的TO-247封裝相結合，使系統在具有無橋圖騰柱功率因數校正(PFC)的典型半橋配置中可獲得超過99%的效率，同時產生高達10 kW的功率。

Transphorm技術營銷和北美銷售副總裁Philip Zuk表示：“Transphorm在其900 V平臺上所做的工作展示了高壓氮化鎵功率晶體管所具備的功能。該器件使我們能夠支持我們之前無法涉足的應用。在提供這些50毫歐FET的樣品時，我們見證了來自客戶的濃厚興趣。我們可以自豪地說，它們的供應狀態現已轉變為能夠滿足客戶需求的大批量生產。”

900 V GaN應用

伊利諾伊理工學院(IIT)目前正在一個先進能源研究計劃署(ARPA-E)的Circuits計劃中利用TP90H050WS開展相關工作，該計劃將Transphorm的前沿產品與IIT的創新型固態開關拓撲獨特結合。該項目將為可再生能源微電網生產可靠的固態斷路器(SSCB)。它包括使用900 V GaN器件開發自主操作、可編程的智能雙向SSCB。

伊利諾伊理工學院的John Shen博士解釋道：“我們的SSCB項目需要一種非傳統的電源轉換解決方案，該解決方案不僅要在速度方面優于機械式斷路器，而且還需要幫助我們降低功耗。Transphorm的GaN技術超出了我們的預期。它提供完整封裝、 高功率密度、可靠的雙向性，并且作為市面上唯一的900 V GaN器件，以一種小型封裝提供了前所未有的功率輸出。”

900 V評估板

Transphorm借助其直交逆變器評估板來繼續簡化開發工作。TDINV3500P100-KIT采用四件TP90H180PS 170毫歐FET設計，使用全橋拓撲來支持以100 kHz或以上頻率運行的單相逆變器系統。

該評估板及兩款已投產的900 V晶體管可通過Digi-Key和Mouser獲取，鏈接如下：

• TP90H050WS (50 mΩ TO-247 FET)：Digi-Key/Mouser
• TP90H180PS (170 mΩ TO-220 FET)：Digi-Key/Mouser
• TDINV3500P100-KIT：Digi-Key/Mouser

關于Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力于設計、制造和銷售用于高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵知識產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1,000多項 ，在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓GaN半導體器件。得益于垂直整合的業務模式，公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、制造、器件和應用支持。Transphorm的創新正在使電力電子設備突破硅的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統成本降低20%。Transphorm的總部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本會津設有制造工廠。如需了解更多信息，請訪問www.transphormchina.com。在Twitter@transphormusa上關注我們。