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中微南昌生產研發基地開工,總投資10億元,將年產200腔體MOCVD設備

日期:2020-08-10 來源:全球半導體觀察閱讀:468
核心提示:8月5日上午,南昌高新區舉行2020年重大重點項目集中開工儀式,以中微半導體設備生產研發基地為代表的27個項目集中開工。南昌中微
8月5日上午,南昌高新區舉行2020年重大重點項目集中開工儀式,以中微半導體設備生產研發基地為代表的27個項目集中開工。
 
南昌中微半導體設備有限公司于2017年12月成立,是中微半導體設備(上海)股份有限公司全資子公司。該項目于2018年3月實現南昌制造,5月實現全面投產,9月實現規模生產,2019年實現產值9.2億元。
 
南昌中微半導體設備生產研發基地項目總投資約10億元,總建筑面積約14萬平方米,該項目達產后將實現年產200腔體MOCVD設備的生產能力。
 
據了解,中微半導體設備公司將在南昌大規模制造具有自主知識產權MOCVD設備,打造成為全球最重要、規模最大的高端MOCVD裝備制造基地,推進在南昌開展MOCVD相關的基礎科學研究和第三代半導體應用產品開發,逐步將南昌中微打造成世界級MOCVD研發、制造及創新中心;積極促進中微公司生產基地及上下游供應鏈企業落戶南昌,形成半導體高端設備制造的產業集群。
 
據南昌高新區報道,受新冠肺炎疫情影響,今年以來,市場對深紫外LED等具有殺毒功效產品的需求猛增,深紫外LED應用空間廣闊。南昌中微半導體設備有限公司抓住機遇,積極投入研發力量,研制出了具有自主知識產權的高溫MOCVD設備Prismo HiT3,該設備是生產深紫外LED的關鍵設備。今年6月,首批HiT3機臺已從南昌發給客戶。
 
中微半導體的落戶,為南昌高新區打造了從MO源、襯底材料、外延、芯片、封裝、終端應用及MOCVD核心關鍵生產設備等自主知識產權的LED完整產業鏈,成為全國唯一擁有LED全產業鏈原創技術自主知識產權的開發區。
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