化合物半導體在軍事中的應用領域也不少，在大功率的高速交通工具也是關鍵材料，所以被各國視為戰略物資，半絕緣的化合物半導體甚至要拿到證明才可以出口，是相當重要的上游材料。美國、日本、歐盟都想把技術建立起來，這些半導體大廠也爭相跨入第三代半導體材料，爭取卡位時間，他們或多方展開合作，或策略結盟或購并，如IDM 廠商意法半導體購并Norstel AB 以及法國Exagan、英飛凌收購Siltectra ，以及日商ROHM 收購SiCrystal 等。
來到國內方面，第三代半導體材料也在緊鑼密鼓的布局和謀劃。這點從資本上就可以看得出來，本月初，碳化硅(SiC)功率半導體模塊及應用解決方案提供商忱芯科技(UniSiC)宣布完成數千萬元人民幣天使輪融資；7月，碳化硅晶片供應商天科合達的科創板申請已獲受理；也是在7月，總投資160億元的長沙三安第三代半導體項目破土動工。
其實進入2020年以來，各大半導體廠商就在各個城市正在加緊部署、多措并舉、有序推進。據我們不完全統計，已有8家半導體企業共計預投資大約430多億，可以看出第三代半導體項目在國內已處于井噴。
2020年以來第三代半導體項目布局一覽（來源：公開信息整理）
博方嘉芯
3月3日，浙江嘉興南湖區一季度重大項目集中開竣工活動儀式舉行，浙江博方嘉芯 集成電路科技有限公司 氮化鎵 射頻 及功率器件項目等多個項目在現場集中開工。
浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司氮化鎵射頻及功率器件項目總投資25億元，占地111.35畝，于2019年11月7日簽約落地，全部達產后可實現年銷售30億元以上，可進一步推動南湖區集成電路新一代半導體產業。
同時，在3月20日，為了順利推進氮化鎵射頻及功率器件產業化項目，促進第三代半導體產業在嘉興科技城發展，嘉興科技城與浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司正式簽約，共建第三代半導體產業技術研究院。
世紀金光
3月12日，合肥產投資本管理有限公司（以下簡稱“合肥產投資本”）宣布，其管理的語音基金與北京世紀金光半導體有限公司（簡稱“世紀金光”）簽署投資協議并完成首期出資，這也標志著合肥首個第三代半導體產業項目正式落地。據悉，下一步，世紀金光將與合肥產投資本合作，在合肥高新區投資建設6英寸碳化硅單晶生長及加工項目。
世紀金光是一家貫通碳化硅全產業鏈的綜合半導體企業，是致力于第三代半導體功能材料和功率器件研發與生產的國家級高新技術企業。公司成立于2010年12月，位于北京經濟技術開發區。其前身為中原半導體研究所，始建于1970年，至今有50年歷史積淀。
泰科天潤
3月29日，由泰科天潤半導體科技（北京）有限公司投資建設的6寸半導體碳化硅電力電子器件生產線項目正式簽約落戶九江經開區。
該項目總投資10億元，在城西港區建設6英寸半導體碳化硅電力電子器件生產線，規劃生產能力達到6萬片/年，項目滿產后，預計可實現年產值10.5億元。這個項目將建成國內首條國際先進水平的SiC功率器件生產線，填補九江乃至江西省半導體功率器件的空白。
泰科天潤半導體科技（北京）有限公司是國內第一家致力于第三代半導體材料碳化硅（SiC）電力電子器件制造的高新技術企業，總部坐落于中國北京中關村，在北京擁有一座完整的半導體工藝晶圓廠，可在4英寸SiC晶圓上實現半導體功率器件的制造工藝，并擁有目前國內唯一一條碳化硅器件生產線。
中鴻新晶
4月8日，中鴻新晶總投資超百億的第三代半導體項目落戶濟南。該項目依托中科院半導體所、微電子所等源頭創新力量，中電化合物公司及航天國際有限公司等產業龍頭、中南資本、中科院控股等金融資本，由中鴻新晶公司提供先進技術與團隊。
據山東開發區官微指出，中鴻新晶第三代半導體產業集群項目總投資約111億元，總建設周期5年，分三期進行。
其中項目一期產業投資8億元，計劃3年內完成第三代半導體產業集群初步建設，完成深紫外LED生產線20條，6-8英寸碳化硅單晶生產、加工、碳化硅外延生產線各2條，氮化鎵中試線1條。一期完成后，將實現年產值20億元，利稅24.2億元。
項目二期投資51億元，完成第三代半導體產業基金的募集工作，并購瑞典ASCATRON(艾斯科強) 公司，打造全球領先的“國家級戰略新興半導體研究院”視一期進展及市場需求情況適時啟動，計劃2年內完成6-8英寸碳化硅單晶擴產、6-8英寸氮化鎵外延、射頻器件、功率器件生產線各1條。二期完成后，將實現年產值120億元，利稅將超過20億元。
項目三期投資52億元，將ASCATRON公司后續芯片生產全部轉移至中國，項目建成后預期將帶動上下游產業近千億元產值。
資料顯示，中鴻新晶科技有限公司成立于2017年，是為第三代半導體產業鏈提供原材料和裝備解決方案的高科技企業、專業從事第三代半導體高純碳化硅微粉生產、碳化硅單晶爐的研發制造，碳化硅和氮化鎵芯片設計和制造的企業。
華通芯電
6月19日，上海市金山區與中國科技金融產業聯盟線上簽約儀式舉行，華通芯電第三代化合物半導體項目正式落戶金山。
據悉，該項目總投資29億元，固定資產投資22.7億元，計劃用地50畝，將通過第三方代建的模式，在上海金山購置土地并建設廠房和潔凈車間，項目分為兩階段實施。其中第一階段計劃投資6.5億元，建設月產7000片GaAs（砷化鎵）芯片生產項目﹔第二階段計劃投資22.5億人民幣，建設月產3000片GaN（氮化鎵）射頻芯片和20000片功率半導體芯片生產項目，其產品將廣泛用于5G基站、雷達、微波等工業領域。
新微半導體
6月29日，在2020年中國（上海）自貿區臨港新片區半導體產業發展高峰論壇上，總投資80億元的新微半導體第三代化合物半導體制造平臺項目已經簽約。
新微化合物半導體項目計劃自2020年起分三期建設，前二期分別在2020年和2021年建成并投入使用。前二期總投資人民幣30.5億元，其中第一期總投資15億元，主要用于建設廠房以及4英寸光電和6英寸毫米波二條量產線；第二期總投資15.5億元，主要用于建設一條以硅基射頻和硅基功率器件為主要內容的8寸量產線，異質集成、多種封裝測試研發中試平臺。
該項目作為臨港新片區導入的重點產業項目，定位于戰略性材料和器件技術研發平臺和量產線，致力于解決國家在射頻毫米波、光電器件和電力電子器件等領域長期面臨的一系列“卡脖子”問題。
三安光電
7月20日，長沙三安第三代半導體項目開工活動在長沙高新區舉行。開工的長沙三安第三代半導體項目總投資160億元，總占地面積1000畝，主要建設具有自主知識產權的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產業生產基地。項目建成達產后將形成超百億元的產業規模，并帶動上下游配套產業產值預計逾千億元。
露笑科技
7月30日，浙江紹興諸暨重大項目集中開工儀式在數字安防產業基地舉行。露笑科技子公司浙江露笑碳硅晶體有限公司新建碳化硅襯底片產業化項目參與了此次集中開工儀式。
據悉，該項目計劃總投資6.95億元，項目主要采用碳化硅升華法長晶工藝及SiC襯底加工工藝，引進具有國際先進水平的6英寸導電晶體生長爐、4英寸高純半絕緣晶體生長爐等設備，購置多線切割機、拋光機等國產設備，建成后形成年產8.8萬片碳化硅襯底片的生產能力。
科友半導體
7月3日消息，科友半導體產學研聚集區項目在哈爾濱新區江北一體發展區正式開工建設。據了解，該項目占地4.5萬平方米，一期計劃投資10億元，主要建設中俄第三代半導體研究院、中外聯合技術創新中心、科友半導體襯底制備中心、科友半導體高端裝備制造中心、國際孵化基地、科友半導體產品檢驗檢測中心、人工寶石展覽館等項目。
項目全部達產后，最終形成年產高導晶片近10萬片，高純半絕緣晶體 1000 公斤的產能；PVT-SIC 晶體生長成套設備年產銷200臺套。
目前，該公司已完成6英寸第三代半導體襯底制備，正在進行8英寸研制，有望成為國內首家攻克8英寸第三代半導體襯底的企業，填補國內空白。同時，還是國內首家攻克8英寸第三代半導體裝備制造的企業。
除了以上企業和地區，在今年3月份，投資50億元，建設用地約1000畝的中國電科（山西）電子信息科技創新產業園在山西轉型綜改示范區正式投產。這個碳化硅基地一期共有300臺設備，單月產值就能突破一億元。項目全部建成后，將成為國內最大的碳化硅材料供應基地，而這個1000畝的產業園將串聯起山西轉型綜改示范區上下游十多個產業，帶動山西半導體產業集群迅速發展，實現中國碳化硅的完全自主供應。
7月8日，華燦光電院士工作站在義烏制造基地正式掛牌。院士工作站由中國科學院院士葉志鎮教授領銜，華燦光電研發團隊支持，這將助力公司在第三代半導體材料和器件領域加速提升核心技術，為地方經濟及國家產業發展提供有力技術支撐。
結語
在5G和電動汽車的新場景下，第三代半導體材料需求起飛，國內廠商正在著力解決芯片材料、設計、制造、封測、模塊等領域存在受制于人及『卡脖子』問題，推動國內新一代半導體及集成電路產業鏈發展。
