2019年10月，廈門市啟動“未來產業培育工程”，把第三代半導體產業列入著力培育的具有發展潛力的十大未來產業。

 

　　廈門在第三代半導體領域有三安光電、士蘭明鎵、瀚天天成、芯光潤澤等多個項目，而第三代化合物半導體研發制造也正是廈門多個產業明確發展方向之一。廈門將成中國第三代半導體產業重鎮。

 

　　三安光電

 

　　三安光電股份有限公司是我國Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體照明產業的龍頭企業，也是我國唯一進入全球產業排名前十的民族高新技術企業。總部坐落于廈門，產業化基地分布在廈門、天津、蕪湖、泉州等多個地區，公司成立于2000年11月并于2008年7月在上海證券交易所掛牌上市。是國家發改委批準的“國家高技術產業化示范工程”企業、國家科技部認定的“半導體照明工程龍頭企業”，工業和信息化部認定的“國家技術創新示范企業”，承擔國家科技部、工信部等等多項重大專項，并擁有國家級博士后科研工作站及國家級企業技術中心。

 

　　三安光電主要從事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料、微波通訊集成電路與功率器件、光通訊元器件等的研發、生產與銷售，產品性能指標居國際先進水平。公司憑借強大的企業實力，2014年進一步擴大LED外延、芯片研發與制造產業化建設，在廈門火炬高新區投資新建的產業基地，使公司的LED生產規模直接邁入國際頂尖行列。同時，投資集成電路產業，建設砷化鎵高速半導體與氮化鎵高功率半導體項目，項目量產后三安光電將成為中國第一家具備規模化研發、生產化合物半導體芯片能力的公司。2018年，在已有國際領先的產業水平基礎上，三安光電在福建泉州南安高新技術產業園區，斥資333億元，占地2500畝，投資了III-V族化合物半導體材料、LED外延、芯片、微波集成電路、光通訊、射頻濾波器，電力電子、SIC材料及器件，特種封裝等產業，2022年項目建成后，三安光電將成為全球行業領頭羊。

 

　　三安光電聚集來自美國、歐洲、日本、臺灣以及國內頂尖研發專家團隊600多人，在職臺干1000多人。建立了較為完善的知識產權保護體系和專有技術基礎，現擁有1740余項專利，其中發明專利1508項、國際專利近400項，行業排名全國第一，其中發明專利占86.72%，各項技術指標名列國內領先、國際先進水平。而收購美國流明公司、攜手首爾半導體公司及美國科稅公司，以領先技術和海外企業成熟的銷售體系為依托，迅速打開海外市場，提升公司產品的國際市場份額，同時通過與國際大廠強強聯合，揚長避短，進一步強化公司的綜合競爭力和品牌影響力。

 

　　三安光電產品已廣泛應用于室內外照明、背光、顯示屏、信號燈、電子產品等領域，即將投產的砷化鎵高速半導體MMIC集成芯片,主要應用于微電子領域，包括移動通訊(第四代及第五代)、全球定位系統、衛星通訊、通訊基站、國防雷達、航天、軍事武器等功率型、光纖通訊、汽車電子等多個領域，其技術工藝不僅廣泛用于民品市場，其對國防防護安全更為重要；另生產的氮化鎵高功率器件主要應用于筆記本電腦、平板電腦、手機、電動汽車、太陽能電池、高速鐵路、工業馬達…等電源功率器件領域，因產品定位較為高端，進入門檻高，市場競爭較小，具有較強的競爭能力。

 

　　三安光電將以更高的站位，更快的速度，向著更高的目標奮進，打造民營企業精英，不斷鞏固全國產業龍頭地位，穩步躋身世界三強。

 

　　士蘭明鎵

 

　　士蘭化合物半導體生產線項目于2019年12月23日投產，計劃7款產品逐步投入量產，將于2021年達產。

 

　　士蘭化合物半導體項目由廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司負責實施運營，公司注冊資本為8億元，其中廈門半導體投資集團以貨幣出資5.6億元，占股70%；士蘭微以貨幣出資2.4億元，占股30%。

 

　　項目總投資50億元，建設4/6英寸兼容先進化合物半導體器件生產線，主要產品包括下一代光模塊芯片、5G與射頻相關模塊、高端LED芯片產品。分兩期實施，其中，項目一期投資20億元，2019年底投產，2021年投產；項目二期投資30億元，計劃2021年啟動，2024年達產。一期產能（等效2寸片）540萬片/年；二期產能（等效2寸片）852萬片/年，項目滿產1392萬片/年，年總產值39.4億元。

 

　　2018年10月18日，項目舉行開工典禮；2019年4月主廠房封頂；6月進入設備安裝調試階段，砷化鎵與氮化鎵芯片產品已分別于10月18日、12月10日正式通線點亮。

 

　　瀚天天成

 

　　瀚天天成電子科技（廈門）有限公司是一家集研發、生產、銷售碳化硅外延晶片的中美合資高新技術企業。公司于2011年3月在廈門火炬高新區正式成立，已在廈門火炬高新區（翔安）產業區建成現代化生產廠房，含百級超凈車間、檢測、動力及輔助設施等。公司引進德國Aixtron公司制造的全球先進的碳化硅外延晶片生長爐和各種進口高端檢測設備，形成了完整的碳化硅外延晶片生產線。公司已獲得IATF16949、ISO9001、ISO14001、OHSAS18001管理體系認證證書。

 

　　2012年3月9日，公司宣布開始接受商業化碳化硅半導體外延晶片訂單，正式向國內外市場供應產業化3英寸和4英寸碳化硅半導體外延晶片。

 

　　2014年4月，公司接受商業化6英寸碳化硅外延晶片訂單，正式向國內外市場供應商業化6英寸碳化硅外延晶片。

 

　　公司的近期目標是成為全球市場主要的碳化硅外延晶片供應商。

 

　　中國第三代半導體產業布局

 

　　第三代半導體具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優越性能，契合節能減排、智能制造、信息安全等國家重大戰略需求，是支撐新一代移動通信、新能源汽車、高速軌道列車、能源互聯網等產業自主創新發展和轉型升級的重點核心材料和電子元器件，已成為全球半導體技術和產業新的競爭焦點。

 

　　第三代半導體核心技術主要被國外企業如Cree、ROHM、EpiGaN、昭和電工、X-Fab、英飛凌、STM、三菱等企業所掌控。

 

　　近年來，國內多家企業布局第三代半導體產業，從單晶、襯底、外延再到下游功率、射頻器件/模塊，但在發展水平上與世界領先企業仍有較大的差距。