據臺灣媒體消息，半導體硅芯片廠環球晶近日與國立交通大學簽署備忘錄，將共同成立化合物半導體研究中心，開發包括碳化硅（SiC）等第三代半導體材料技術。
交大代理校長陳信宏表示，SiC和氮化鎵（GaN）是非常具有發展前景的半導體材料，在5G、電動汽車等應用上，是相當重要的成功關鍵。
陳信宏指出，交大結合多所學校相關研究的教授群，以化合物半導體材料研究和人才培育計劃為主軸，與環球晶共同合作加速開發SiC和GaN，創建產學互饋循環機制，并培育國際級研發團隊，以便提升臺灣半導體產業在全球的競爭實力。
環球晶表示，在SiC和GaN領域已深耕多年，并開發多項專利，具有完整的生產線，這次與交大合作，希望結合各自的專業領域與技術優勢加速發展，創造運營增長新契機。
