記者27日從中國電子科技集團有限公司(中國電科)獲悉,作為芯片制造的核心關(guān)鍵裝備,由該集團旗下電科裝備自主研制的高能離子注入機,已成功實現(xiàn)百萬電子伏特高能離子加速,其性能達國際主流先進水平。
中國電科旗下電科裝備離子注入機總監(jiān)張叢表示,電科裝備將在年底前推出首臺高能離子注入機,實現(xiàn)中國芯片制造領(lǐng)域全系列離子注入機自主創(chuàng)新發(fā)展,并將為全球芯片制造企業(yè)提供離子注入機成套解決方案。
據(jù)了解,離子注入機是芯片制造中至關(guān)重要的核心關(guān)鍵裝備。在芯片制造過程中,需要摻入不同種類的元素以按預(yù)定方式改變材料的電性能,這些元素以帶電離子的形式被加速至預(yù)定能量并注入至特定半導(dǎo)體材料中。離子注入機即是執(zhí)行這一摻雜工藝的芯片制造設(shè)備。
高能離子注入機是離子注入機中技術(shù)難度最大的機型,長久以來,因其極大的研發(fā)難度和較高的行業(yè)競爭壁壘,被稱為離子注入機領(lǐng)域的“珠穆朗瑪峰”,是中國集成電路制造裝備產(chǎn)業(yè)鏈上亟待攻克的關(guān)鍵一環(huán)。
中國電科介紹說,旗下電科裝備在離子注入機領(lǐng)域具有較好的技術(shù)積淀,此前已連續(xù)突破中束流、大束流、特種應(yīng)用及第三代半導(dǎo)體等離子注入機產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化難題,產(chǎn)品廣泛服務(wù)于全球知名芯片制造企業(yè)。