隨著目前美國對(duì)我國各個(gè)行業(yè)的限制，特別是在包括Sub-1G的自組網(wǎng)等射頻通信領(lǐng)域的限制更加嚴(yán)格，我們需要發(fā)展自己的好性能芯片，尤其是通信裝備就更加敏感了，現(xiàn)在我們就來介紹下一種新的微波大功率放大器的研發(fā)思路與產(chǎn)業(yè)化狀況。

微波大功率放大器的研制中，常需要采取多級(jí)功率放大器級(jí)聯(lián)工作，來達(dá)到理想的增益、輸出功率和效率，并對(duì)該微波功放模塊進(jìn)行內(nèi)匹配電路設(shè)計(jì)，將其輸入輸出特征阻抗匹配到系統(tǒng)阻抗，然后采用混合微波集成電路的封裝技術(shù)，將多個(gè)功率器件、內(nèi)匹配電路等封裝在一起。

對(duì)于混合集成微波功放的設(shè)計(jì)者來說，有兩個(gè)問題需要優(yōu)先考慮：半導(dǎo)體器件的選用、基板材料的選用。

要設(shè)計(jì)一款高頻率、高增益、大功率輸出的微波功率放大器，從器件的選用上可以采用混合集成電路工藝，將GaAs器件作為驅(qū)動(dòng)級(jí)，LDMOS/GaN器件作為功率輸出級(jí)，設(shè)計(jì)一種GaAs和LDMOS/GaN混合集成微波功率放大器，將能夠得到更小的尺寸與更優(yōu)的性能。但是，LDMOS/GaN功率芯片輸出功率很大，對(duì)散熱的要求非常高，對(duì)基板材質(zhì)的性能要求也相應(yīng)提高。因此，在基板材料的選擇上，常用的傳統(tǒng)基板已不符合要求，需要一種耐熱性高、損耗小、熱膨脹系數(shù)低的高性能基板材料。

為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷與不足，蘇州英諾迅推出了一款基于自有創(chuàng)新專利(專利號(hào)：CN201520451482.2)的GaAs和GaN混合集成微波功率放大器YPM04074540。

YPM04074540是高增益、高功率、高效率、高集成度的功率放大器模塊（PAM），封裝尺寸僅1cm*1cm，旨在用于需要高達(dá)8W的輸出功率的TETRA通信。PAM通過CW信號(hào)輸入可提供45 dB的典型增益和10W的輸出功率，典型靜態(tài)偏置條件是60mA時(shí)為28V，輸入和輸出內(nèi)部匹配，并且內(nèi)部集成了電源檢測(cè)單元和ESD保護(hù)單元。
 

工作頻段：400-678MHz

典型增益：45dB

典型輸出功率：40dBm

輸入回波損耗：>15dB

工作電壓：28V

靜態(tài)電流：60mA

輸入輸出內(nèi)部匹配

內(nèi)部集成功率檢測(cè)單元

內(nèi)部集成ESD保護(hù)單元

工藝：InGaP/GaAs HBT和GaN pHEMT工藝

封裝：LGA 10mm*10mm*1.1mm