集成電路作為半導體產業的核心，市場份額達83%，由于其技術復雜性，產業結構高度專業化。
隨著產業規模的迅速擴張，產業競爭加劇，分工模式進一步細化。目前市場產業鏈為IC設計、IC制造和IC封裝測試。
在核心環節中，IC設計處于產業鏈上游，IC制造為中游環節，IC封裝為下游環節。
全球集成電路產業的產業轉移，由封裝測試環節轉移到制造環節，產業鏈里的每個環節由此而分工明確。
由原來的IDM為主逐漸轉變為Fabless+Foundry+OSAT。
▲全球半導體產業鏈收入構成占比圖
1設計：細分領域具備亮點，核心關鍵領域設計能力不足。從應用類別(如：手機到汽車)到芯片項目(如：處理器到FPGA)，國內在高端關鍵芯片自給率幾近為0，仍高度仰賴美國企業；
2設備：自給率低，需求缺口較大，當前在中端設備實現突破，初步產業鏈成套布局，但高端制程/產品仍需攻克。中國本土半導體設備廠商只占全球份額的1-2%，在關鍵領域如：沉積、刻蝕、離子注入、檢測等，仍高度仰賴美國企業；
3材料：在靶材等領域已經比肩國際水平，但在光刻膠等高端領域仍需較長時間實現國產替代。全球半導體材料市場規模443 億美金，晶圓制造材料供應中國占比10%以下，部分封裝材料供應占比在30%以上。在部分細分領域上比肩國際領先，高端領域仍未實現突破；
4制造：全球市場集中，臺積電占據60%的份額，受貿易戰影響相對較低。大陸躋身第二集團，全球產能擴充集中在大陸地區。代工業呈現非常明顯的頭部效應，在全球前十大代工廠商中，臺積電一家占據了60%的市場份額。此行業較不受貿易戰影響；
5封測：最先能實現自主可控的領域。封測行業國內企業整體實力不俗，在世界擁有較強競爭力，長電+華天+通富三家17 年全球整體市占率達19%，美國主要的競爭對手僅為Amkor。此行業較不受貿易戰影響。
按地域來看，當前全球IC 設計仍以美國為主導，中國大陸是重要參與者。2017 年美國IC設計公司占據了全球約53%的最大份額，IC Insight 預計，新博通將總部全部搬到美國后這一份額將攀升至69%左右。臺灣地區IC 設計公司在2017 年的總銷售額中占16%，與2010年持平。聯發科、聯詠和瑞昱去年的IC 銷售額都超過了10 億美元，而且都躋身全球前二十大IC 設計公司之列。歐洲IC 設計企業只占了全球市場份額的2%，日韓地區Fabless 模式并不流行。
與非美國海外地區相比，中國公司表現突出。世界前50 fabless IC 設計公司中，中國公司數量明顯上漲，從2009 年1 家增加至2017 年10 家，呈現迅速追趕之勢。2017 年全球前十大Fabless IC 廠商中，美國占據7 席，包括高通、英偉達、蘋果、AMD、Marvell、博通、賽靈思；中國臺灣地區聯發科上榜，大陸地區海思和紫光上榜，分別排名第7 和第10。
2017 年全球前十大Fables s IC 設計廠商（百萬美元）然而，盡管大陸地區海思和紫光上榜，但可以看到的是，高通、博通和美滿電子在中國區營收占比達50%以上，國內高端 IC 設計能力嚴重不足。可以看出，國內對于美國公司在核心芯片設計領域的依賴程度較高。
自中美貿易戰打響后，通過“中興事件”和“華為事件”我們可以清晰的看到，核心的高端通用型芯片領域，國內的設計公司可提供的產品幾乎為0。
大陸高端通用芯片與國外先進水平差距主要體現在四個方面：
1）移動處理器的國內外差距相對較小。
紫光展銳、華為海思等在移動處理器方面已進入全球前列。
2）中央處理器(CPU) 是追趕難度最大的高端芯片。
英特爾幾乎壟斷了全球市場，國內相關企業約有 3-5 家，但都沒有實現商業量產，多仍然依靠申請科研項目經費和政府補貼維持運轉。龍芯等國內 CPU 設計企業雖然能夠做出 CPU 產品，而且在單一或部分指標上可能超越國外 CPU，但由于缺乏產業生態支撐，還無法與占主導地位的產品競爭。
3）存儲器國內外差距同樣較大。
目前全球存儲芯片主要有三類產品，根據銷售額大小依次為：DRAM、NAND Flash 以及Nor Flash。在內存和閃存領域中，IDM 廠韓國三星和海力士擁有絕對的優勢，截止到2017年，在兩大領域合計市場份額分別為75.7%和49.1%，中國廠商競爭空間極為有限，武漢長江存儲試圖發展 3D Nand Flash(閃存)的技術，但目前僅處于 32 層閃存樣品階段，而三星、英特爾等全球龍頭企業已開始陸續量產 64 層閃存產品；在Nor flash 這個約為三四十億美元的小市場中，兆易創新是世界主要參與廠家之一，其他主流供貨廠家為臺灣旺宏，美國Cypress，美國美光，臺灣華邦。
4）FPGA、AD/DA 等高端通用型芯片，國內外技術懸殊。
這些領域由于都是屬于通用型芯片，具有研發投入大，生命周期長，較難在短期聚集起經濟效益，因此在國內公司層面發展較為緩慢，甚至有些領域是停滯的。
總的來看，芯片設計的上市公司，都是在細分領域的國內最強。比如匯頂科技在指紋識別芯片領域超越FPC 成為全球安卓陣營最大指紋IC 提供商，成為國產設計芯片在消費電子細分領域少有的全球第一。士蘭微從集成電路芯片設計業務開始，逐步搭建了芯片制造平臺，并已將技術和制造平臺延伸至功率器件、功率模塊和MEMS 傳感器的封裝領域。但與國際半導體大廠相比，不管是高端芯片設計能力，還是規模、盈利水平等方面仍有非常大的追趕空間。
二、設備
目前，我國半導體設備的現況是低端制程實現國產替代，高端制程有待突破，設備自給率低、需求缺口較大。
關鍵設備技術壁壘高，美日技術領先，CR10 份額接近80%，呈現寡頭壟斷局面。半導體設備處于產業鏈上游，貫穿半導體生產的各個環節。按照工藝流程可以分為四大板塊——晶圓制造設備、測試設備、封裝設備、前端相關設備。其中晶圓制造設備占據了中國市場70%的份額。再具體來說，晶圓制造設備根據制程可以主要分為8 大類，其中光刻機、刻蝕機和 薄膜沉積設備這三大類設備占據大部分的半導體設備市場。同時設備市場高度集中，光刻機、CVD 設備、刻蝕機、PVD 設備的產出均集中于少數歐美日本巨頭企業手上。
中國半導體設備國產化率低，本土半導體設備廠商市占率僅占全球份額的1-2%。
關鍵設備在先進制程上仍未實現突破。目前世界集成電路設備研發水平處于12 英寸7nm，生產水平則已經達到12 英寸14nm；而中國設備研發水平還處于12 英寸14nm，生產水平為12 英寸65-28nm，總的來看國產設備在先進制程上與國內先進水平有2-6 年時間差；具體來看65/55/40/28nm 光刻機、40/28nm 的化學機械拋光機國產化率依然為0，28nm化學氣相沉積設備、快速退火設備、國產化率很低。
