氮化鎵是未來最具增長潛質的化合物半導體，能迅速應用于變頻器、穩壓器、變壓器、無線充電等領域。與GaAs和InP等高頻工藝相比，氮化鎵器件輸出的功率更大；與LDCMOS和SiC等功率工藝相比，氮化鎵的頻率特性更好。

 

　　氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為最成熟的第三代半導體材料又稱寬禁帶半導體材料（禁帶寬度大于2.2ev），其余包括氧化鋅、金剛石、氮化鋁的研究還處于起步階段。氮化鎵、碳化硅能過夠大幅提升電子器件的高壓、高頻、高功率的工作特性，在軍事、新能源、電動汽車等領域具有非常大的應用前景。

 

　　氮化鎵具有禁帶寬度大、擊穿電場高、飽和電子速率大、熱導率高、化學性質穩定和抗輻射能力強等優點，成為高溫、高頻、大功率微波器件的首選材料之一。其目前主要用于功率器件領域，未來在高頻通信領域也將有極大應用潛力。

　　在氮化鎵快充方面，繼ANKER、AUKEY、RAVPower之后，OPPO、小米和華為陸續推出氮化鎵快充，同時2020年CES展共30家廠商推出60款氮化鎵快充，氮化鎵快充憑借自身的大功率、低體積優勢，未來或成為手機標配，同時適配筆記本電腦，為出行“減負”。

 

　　目前氮化鎵通過其高頻開關速度特性，提升電源轉化效率，降低充電頭發熱，幫助充電器小型化。因此GaN充電器同等功率下體積更小，同等體積下功率更大。

 

　　在射頻器件領域，目前LDMOS（橫向擴散金屬氧化物半導體）、GaAs（砷化鎵）、GaN（氮化鎵）三者占比相差不大，但據Yoledevelopment預測，至2025年，砷化鎵市場份額基本維持不變的情況下，氮化鎵有望替代大部分LDMOS份額，占據射頻器件市場約50%的份額。

 

　　目前氮化鎵器件有三分之二應用于軍工電子，如軍事通訊、電子干擾、雷達等領域；在民用領域，氮化鎵主要被應用于通訊基站、功率器件等領域。

 

　　基站建設將是氮化鎵市場成長的主要驅動力之一。Yoledevelopment數據顯示，2018年，基站端氮化鎵射頻器件市場規模不足2億美元，預計到2023年，基站端氮化鎵市場規模將超5億美元。氮化鎵射頻器件市場整體將保持23%的復合增速，2023年市場規模有望達13億美元。

 

　　全球每年新建約150萬座基站，未來5G網絡還將補充覆蓋區域更小、分布更加密集的微基站，對GaN器件的需求量將大幅增加。此外，國防市場在過去幾十年里一直是氮化鎵開發的主要驅動力，目前已用于新一代空中和地面雷達。

 

　　隨著5G高頻通信的商業化，氮化鎵將在電信宏基站、真空管在雷達和航空電子應用中占有更多份額。氮化鎵基站PA的功放效率較其他材料更高，因而能節省大量電能，且其可以幾乎覆蓋無線通訊的所有頻段，功率密度大，能夠減少基站體積和質量。

　　氮化鎵器件在消費電子領域的滲透成長還有相當大的空間，雖然目前供應鏈主要集中在美系和歐洲企業，隨著國產供應鏈成熟和替代力度加大，國內相關公司也會有參與機會。除了快充應用外，氮化鎵在射頻端也有望加速放量。