12月9日,捷捷微電在互動平臺表示,公司網站里的確是有IGBT產品目錄,但是目前該目錄下為空白。
捷捷微電與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發的是以SiC、GaN為代表第三代半導體材料的半導體器件,具有耐高壓、耐高溫、 高速和高效等優點,可大幅降低電能變換中的能量損失,大幅減小和減輕電力電子變換裝置,是當前新型電力電子器件的研發主流,其相關技術與產品在工業傳動、軍工、鐵路、智能電網柔性輸變電、消費電子、無線電力傳輸等領域,以及智能汽車及充電樁、太陽能發電、風力發電等新能源領域具有廣闊的市場,寬禁帶電力電子器件產品將是未來電力電子技術的重要價值增長點。
捷捷微電表示,公司目前有少量碳化硅器件的封測,該系列產品仍在持續研究推進過程中,尚未進入量產階段(需要時間),具體進展情況請關注公司公告。

關于控股子公司捷捷微電(上海)科技有限公司,捷捷微電表示,該團隊核心成員有歐美知名半導體公司管理和研發背景,專注于MOSFET SGT等先進型產品的設計與研發,著力于進口替代(英飛凌、安森美 、ST、Vishay)目標市場應用:5G核心通信電源模塊、汽車電子(如電機馬達和車載電子)、智能穿戴、智能監控、光伏、物聯網、工業控制和消費類電子等。
另外,捷捷微電透露,公司有相關產品間接用于小米生態鏈和華為無線快充,主要是防護類器件。公司已通過中興合格供方審核,目前處在匹配產品送樣階段。