江蘇第三代半導(dǎo)體研究院成立于2019年7月，是江蘇省、蘇州市、蘇州工業(yè)園區(qū)與國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟運營團隊共建的新型研發(fā)機構(gòu)。研究院圍繞第三代半導(dǎo)體在新型顯示、下一代通信、電力電子、環(huán)境與健康等領(lǐng)域的應(yīng)用，開展第三代半導(dǎo)體高質(zhì)量材料制備技術(shù)、器件外延技術(shù)、芯片工藝技術(shù)、應(yīng)用模塊設(shè)計與集成技術(shù)及相關(guān)裝備技術(shù)的研發(fā)，通過搭建高水平的共性平臺，推動產(chǎn)學(xué)研用的深度協(xié)作創(chuàng)新，實現(xiàn)基礎(chǔ)研究、技術(shù)開發(fā)和產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的有機融合，逐步建成具有國際影響力的第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心。 2020年研究院通過了“國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心”的建設(shè)方案。
二、崗位職責與應(yīng)聘條件
博士后
▌研究方向
新型顯示、激光器、深紫外、電力電子
▌應(yīng)聘條件
1. 具有半導(dǎo)體材料、晶體材料、半導(dǎo)體物理與器件、物理（DLTS、深能級瞬態(tài)譜）等相關(guān)理工科專業(yè)博士；
2. 從事第三代半導(dǎo)體器件（如Micro-LED、激光器、深紫外LED、HEMT等）仿真設(shè)計、MOCVD外延、芯片工藝、測試分析等相關(guān)領(lǐng)域研發(fā)的海內(nèi)外優(yōu)秀人才。
或者獨立操作D-SIMS、電鏡、XRT、TDTR與HALL等設(shè)備開展相關(guān)材料課題研究的優(yōu)秀博士；
具有扎實的專業(yè)基礎(chǔ)與豐富的實驗經(jīng)驗，獨立科研能力；較強英語閱讀和寫作能力
4. 工作認真，責任心強，動手能力強并具有團隊合作精神；
研發(fā)工程師
▌主要職責
按照公司制定的項目新產(chǎn)品開發(fā)計劃和技術(shù)方案開展研發(fā)工作；參與新產(chǎn)品專利資料的撰寫和整理工作；根據(jù)產(chǎn)品領(lǐng)域獨立提出研發(fā)計劃。
▌應(yīng)聘條件
具有碩士以上學(xué)歷，材料、物理、半導(dǎo)體、微電子等相關(guān)理工科專業(yè)；有第三代半導(dǎo)體材料MOCVD外延生長、器件、芯片等工作經(jīng)驗優(yōu)先。
外延工程師
▌主要職責
負責芯片外延結(jié)構(gòu)和工藝開發(fā)。
▌應(yīng)聘條件
具有碩士以上學(xué)歷，材料、物理、半導(dǎo)體、微電子等相關(guān)理工科專業(yè)；MOCVD外延生長、器件、芯片等工作經(jīng)驗優(yōu)先。
工藝工程師
▌主要職責
執(zhí)行產(chǎn)品生產(chǎn)的一個或者多個工藝環(huán)節(jié)，熟悉相關(guān)設(shè)備的原理和操作，運行并維護相關(guān)的生產(chǎn)設(shè)備，保障生產(chǎn)的成品率。
▌應(yīng)聘條件
熟悉第三代半導(dǎo)體器件工藝（如Micro-LED, 激光器，HEMT等）。具有本科以上學(xué)歷，材料、物理、半導(dǎo)體、微電子等相關(guān)理工科專業(yè)優(yōu)，在半導(dǎo)體及相關(guān)行業(yè)有工作經(jīng)驗者優(yōu)先。
測試分析工程師
▌主要職責
負責器件性能測試分析。根據(jù)要求，操作材料表征、性能測試等相關(guān)測試設(shè)備，對研究院相關(guān)產(chǎn)品進行測試分析。
▌應(yīng)聘條件
熟悉第三代半導(dǎo)體材料和器件（如Micro-LED, 激光器，HEMT等）光電性能相關(guān)測試分析設(shè)備，具有本科以上學(xué)歷，理工科專業(yè)，在半導(dǎo)體測試及相關(guān)行業(yè)有工作經(jīng)驗者優(yōu)先。
專利工程師
▌主要職責
負責研究院研發(fā)產(chǎn)品/項目的專利挖掘，并根據(jù)公司重點產(chǎn)品/技術(shù)和發(fā)展規(guī)劃進行全球?qū)＠季?、行業(yè)競爭對手專利風險評估，以及后續(xù)申請審核、答復(fù)、復(fù)審及無效等；對研究院的專利進行分級管理，挖掘競爭對手侵權(quán)專利，制定關(guān)聯(lián)的產(chǎn)品侵權(quán)對照表；跟技術(shù)人員進行技術(shù)和專利方面的對接，對技術(shù)人員提供的技術(shù)交底書進行審核和完善，輔助形成專利；
▌應(yīng)聘條件
微電子類、半導(dǎo)體類或相關(guān)專業(yè)本科及以上學(xué)歷，有企業(yè)專利布局、專利挖掘經(jīng)驗優(yōu)先；具有較好的英語讀寫能力，能夠準確、完整理解英文科技文獻。
三、企業(yè)優(yōu)勢
國家重大戰(zhàn)略布局方向，國家、省、市、園區(qū)重點支持
高精尖團隊，碩博以上學(xué)歷占比75%以上
提供具備市場競爭優(yōu)勢的薪酬與福利
沒有職業(yè)天花板的發(fā)展空間及Y型職業(yè)發(fā)展雙通道
豐富的培訓(xùn)學(xué)習和繼續(xù)深造機會
應(yīng)屆碩士畢業(yè)生工作滿兩年后，優(yōu)秀員工可以在職讀博
四、申請方式
1. 應(yīng)聘者請將個人簡歷等發(fā)送至hr_ias@iasemi.cn ，初選合格者將電話或E-mail通知本人參加面試；
2. 個人詳細簡歷應(yīng)包括：自大學(xué)開始至申請期間不間斷的學(xué)習、工作簡歷，近年來發(fā)表的論文、著作、專利、負責的科研項目或領(lǐng)銜的課程和實驗教學(xué)、研發(fā)、應(yīng)用等方面取得的成果清單，聯(lián)系電話、電子信箱等信息。
3. 單位地址：蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城西北區(qū)20幢
公司網(wǎng)址：www.iasemi.cn 聯(lián)系電話： 0512-62872850