為什么碳化硅MOSFET會取代IGBT?
 
碳化硅MOSFET和IGBT都是功率器件，但它們具有不同的特性。碳化硅MOSFET具有更高的開關速度、更低的導通電阻、更高的耐壓和更高的結溫，因此在高頻、高壓和高功率應用中具有優勢。IGBT具有更高的可靠性和更高的抗短路能力，因此在一些特殊應用中仍具有優勢。SiC碳化硅MOSFET技術性能上的優勢，使變換器的設計可以變得更有效率，單個逆變器的額定功率得以進一步提高，從而降低整體系統成本
 
光伏逆變器，電動汽車，儲能變流器，充電樁電源模塊等電力電子系統向更高電壓發展已經成為行業的必然趨勢，這對半導體器件也提出了高耐壓要求。
相比于硅基高壓器件，碳化硅開關器件擁有更高的頻率和更小的導通電阻以及開關損耗，在大功率或超大功率應用領域有著天然的應用優勢，也必將伴隨著應用的發展向著更高的電壓等級蓄力發展。
 
傾佳電子（Changer Tech）致力于國產碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
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