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碳化硅(SiC)行業研究框架:“新能半導”大時代新核“芯”

日期:2022-02-18 閱讀:475
核心提示:核心觀點性能完美替代,SiC器件未來將逐步替代傳統硅基器件:受益于優秀的材料特性,隨著量產和技術成熟帶來的成本下降,在新能
 核心觀點

性能完美替代,SiC器件未來將逐步替代傳統硅基器件:受益于優秀的材料特性,隨著量產和技術成熟帶來的成本下降,在新能源時代,SiC即將迎來屬于它的性價比“奇點時刻”:在新能源汽車的主逆變器、車載充電器、快速充電樁、光伏逆變器等場景中均有廣泛的應用空間。碳化硅更是電驅系統向高電壓升級的核“芯”,解決電動汽車里程焦慮和充電速度慢兩大核心痛點,眾多車企對800V電壓平臺的持續布局再次拉升了碳化硅器件的需求。2030年碳化硅市場規模將超300億美元,2021到2030年復合增速預計高達50.6%。

全球碳化硅產業格局:美國廠商占據主導地位,國內度過產業化元年。Wolfspeed的出貨量占據了全球的45%。2021年是國內SiC產業化元年,2021年一季度國內新增SiC項目合計投資金額達到630億元,超過2020年全年的水平,達到2012-2019年合計值的5倍以上。

碳化硅產業“得材料者得天下”:產業放量的核心看襯底工藝的突破。碳化硅襯底是整個碳化硅產業鏈中成本占比最大、技術門檻最高的環節,對產業放量起著決定性作用。根據我們的模型測算,2026年全球SiC襯底有效產能為330萬片,距離同年的襯底629萬片的需求量仍有較大差距。在業內形成穩定且較高的良率規?;鲐浨?,整個行業都將持續呈現供不應求的格局。因此,對于下游廠商而言,誰能夠鎖定頭部材料廠商的優質產能,誰就能夠在這一輪產業浪潮中提前搶灘登陸,搶占先機。目前上游大廠(如wolfspeed)的長期供貨訂單基本都被國際半導體巨頭鎖定。

IDM模式可能會成為未來產業主流模式,同時可能會出現上下游互相滲透的現象。碳化硅產業具有IDM整合制造模式生存發展的土壤。上游襯底廠商把握著碳化硅產業鏈最核心的產能資源,這為它們帶來了產業鏈內的話語權和主動權,以及向下游器件端延伸的天然優勢;下游器件廠商則具備完善的產線、成熟的客戶孵化和客戶資源等一系列先發優勢,有望通過并購和合作等方式向上游材料端延伸。相關企業:三安光電、天岳先進-U、鳳凰光學、天科合達、東莞天域、瀚天天成、時代電氣、泰科天潤、基本半導體等。

風險提示:上游材料端良率及產能提升不及預期;下游滲透率提升不及預期;SiC成本下降不及預期等。

正文如下

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