2023 先進IGBT及第三代半導體功率電子技術與應用論壇

7月20日-7月21日

上海世博展覽館·NEPCON論壇區

“雙碳”戰略帶來的新能源增量需求，以及國產替代的需求，也會為國內市場帶來巨大增長空間，在新能源汽車、智能電網、消費電子、信息通訊、軌道交通、光伏、風電、工控等領域的持續滲透，為我國打開了巨大的市場。隨著近年逐步開始商業化和產業化，功率半導體行業已經迎來了新的發展賽道，并逐步形成與行業應用緊密相關的新發展趨勢。尤其是IGBT及第三代半導體功率器件技術與應用。

為推動IGBT及第三代半導體功率電子技術與應用，在第三代半導體產業技術創新戰略聯盟指導下，半導體產業網、第三代半導體產業聯合中國國際貿易促進委員會電子信息行業分會、勵展博覽集團等單位，將定于7月20-21日在NEPCON China 2023 電子展(第三十一屆國際電子生產設備暨微電子工業展覽會)期間，在上海世博展覽館舉辦“2023 先進IGBT及第三代半導體功率電子技術與應用論壇”。隨著新材料技術的不斷突破和在各個領域的廣泛應用,形成了“一代材料、一代工藝、一代裝備、一代產品、一代產業”。屆時我們將邀請到產業鏈知名企業專家代表，聚焦前沿技術進步與產業創新應用，暢談產業鏈之間的協同創新與合作，攜手向前，共享共贏。

主辦單位：

半導體產業網、第三代半導體產業

中國國際貿易促進委員會電子信息行業分會

勵展博覽集團

承辦單位：

北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司

報告議題（擬）：

國產IGBT技術進展及市場現狀

碳化硅肖特基二級管技術

IGBT模塊封裝技術

助力集成商打造半導體行業智能物流解決方案

高壓功率器件封裝絕緣問題及面臨的調整

單雙面銀燒結技術在功率模塊封裝中的應用

第三代半導體功率器件封裝技術現狀及挑戰

IGBT的真空焊接技術

超高壓碳化硅功率器件

碳化硅離子注入技術

第三代半導體功率器件可靠性測試方法和實現

IGBT芯片設計

車規級IGBT 與 碳化硅IGBT 技術趨勢

基于SiC功率芯片的高功率密度電驅系統

SiC功率器件先進封裝材料及可靠性優化設計

車規級氮化鎵功率器件技術

用于功率器的關鍵設備技術/等離子去膠設備技術

IGBT模塊散熱及可靠性研究

碳化硅芯片設計

 

參會/商務咨詢

賈先生（Frank）

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