第三代半導體材料及其應用是全球半導體產業戰略競爭新高地，目前我國正迎來發展第三代半導體的重要窗口期。功率半導體從原材料到設計、晶圓制造加工裝備、封測，正加速實現全產業鏈國產化。雖然我國已發展成為全球第一大功率半導體市場，但國產自給率較低，行業仍存巨大供需缺口，國產替代將是未來重要的發展方向。
為了更好的把握時機推進產業的發展，打破功率半導體產業在材料與裝備、芯片制造、封裝模組、系統應用等環節產業化主要技術瓶頸，引領技術及市場風向，半導體產業網在南京大學電子科學與工程學院、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟的指導下，定于2021年9月13-14日在南京召開“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會（CASICON 2021）”。會議圍繞碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G 射頻領域的技術進展與創新應用，助推相關領域市場產品國產化替代，屆時邀請行業眾多技術及應用專家進行研究、分享、交流。誠摯歡迎各研究院所、高校、產業鏈企事業單位參與討論。
會議時間：2021年9月13-14日
會議地點：南京·城市名人酒店（江蘇省南京市鼓樓區中山北路30號）
聯系人：賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com
張小姐13681329411，zhangww@casmita.com
附件：會議資料
一、組織機構：
指導單位
南京大學
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟
主辦單位
半導體產業網
第三代半導體產業 公號
承辦單位
北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
贊助支持單位
藍雨軟件技術開發(上海)有限公司
愛發科商貿(上海)有限公司
寧波恒普真空技術有限公司
蘇州晶湛半導體有限公司
青島聚能創芯微電子有限公司
德儀國際貿易(上海)有限公司
大族激光顯示與半導體裝備事業部
上海翱晶半導體科技有限公司
上海智湖信息技術有限公司
蕪湖啟迪半導體有限公司
湖南國芯半導體科技有限公司
二、會議背景：
以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料，具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率、抗輻射等優異特性，因其在國防安全、智能制造、產業升級、節能減排等國家重大戰略需求方面的重要作用，正成為世界各國競爭的技術制高點。但受工藝、成本等因素限制，多年來僅限于小范圍應用。
近年來，隨著材料生長、器件制備等技術的不斷突破，第三代半導體的性價比優勢逐漸顯現并正在打開應用市場： SiC肖特基二極管器件開始應用于新能源汽車及高端電源市場，包括PFC、光伏逆變器和高端家電變頻器等，GaN快速充電器也大量上市。未來5-10年是全球第三代半導體產業的加速發展期，基于第三代半導體材料的功率半導體器件將廣泛應用于5G基站、新能源汽車、特高壓、數據中心等場景，也是我國能否實現產業自主可控的關鍵期。
由于功率半導體器件在實現電能高效利用、節能減排、建設資源節約型社會方面發揮著不可替代的作用。國家各級政府紛紛出臺政策護航產業發展，一批針對性扶持措施開始顯效，將會不斷推動功率半導體器件行業的技術進步，形成先進技術的自有知識產權，優化國產功率半導體器件的產品結構。
功率半導體的應用領域已從工業控制和消費電子拓展至新能源、軌道交通、智能電網、變頻家電等諸多市場，市場規模呈現穩健增長態勢。隨著5G帶來的萬物互聯及基地臺、數據中心數量的迅速增長，以及汽車電子化程度的持續提升，帶動功率半導體市場實現較快增長。
在新能源汽車應用以及PD快充市場爆發的強力帶動下，2020年國內SiC、GaN電力電子器件市場規模較上年同比增長90%，未來5年將以45%的復合增長率增長至300億。根據CASA Research第三代半導體產業發展報告（2020）表明：2020年我國第三代半導體電力電子與射頻總產值已經超過100億元 。SiC、GaN電力電子產值規模達44.7億元，同比增長54%；GaN微波射頻產值達到60.8億元，同比增長80.3%。“十四五”科技計劃中將建設“面向大數據中心應用的GaN基高效功率電子，應用于數據中心電源的GaN電力電子器件”提上日程，未來這個市場將迎來高速增長。
隨著國內企業逐步突破行業內高端產品的核心技術，我國功率半導體器件對進口的依賴將會減弱，進口替代的市場機遇逐漸顯現。功率半導體器件是國民經濟中各行業發展的基礎元器件，其技術進步和應用領域的拓寬既能夠促進工業的產業結構升級，也為居民生活帶來更多便利和舒適。
目前，第三代半導體材料及其應用是全球半導體產業戰略競爭新高地，目前我國正迎來發展第三代半導體的重要窗口期。功率半導體從原材料到設計、晶圓制造加工裝備、封測，幾乎可以實現全產業鏈國產化。雖然我國已發展成為全球第一大功率半導體市場，但國產自給率較低，行業仍存巨大供需缺口，國產替代將是未來重要的發展方向。
為了更好的把握時機推進產業的發展，打破功率半導體產業在材料與裝備、芯片制造、封裝模組、系統應用等環節產業化主要技術瓶頸，引領技術及市場風向。半導體產業網在南京大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟等單位的指導下，擬定于2021年在南京組織召開“2021功率與射頻半導體技術市場應用峰會（CASICON 2021）” 邀請行業眾多技術及應用專家進行研究、分享、交流。歡迎各研究院所、高校、產業鏈企事業單位參與討論。
三、會議安排：
四、報告嘉賓&主題報告：
1、9月13日報告（陸續更新中）
嘉賓：于坤山--第三代半導體產業技術創新戰略聯盟秘書長
報告：中國功率與射頻技術市場現狀及未來展望
嘉賓：陳堂勝--中國電科首席科學家/微波毫米波單片集成和模塊電路重點實驗室主任
報告：低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件
嘉賓：陳敦軍--南京大學電子科學與工程學院副院長、教授
報告：GaN功率開關器件及其高頻電源應用
嘉賓：劉斯揚--東南大學教授
報告：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進展
嘉賓：龍世兵--中國科學技術大學微電子學院執行院長
報告：低成本高性能氧化鎵半導體功率器件
嘉賓：Dr Simon Li--Founding director, Crosslight Software Inc and GaNPower Intl. Inc
報告：Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective
嘉賓：戴小平-湖南國芯科技總經理
報告：淺析SiC模塊封裝技術
嘉賓：Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統中心助理研究員
報告：1.2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit
嘉賓：龔平--西安唐晶量子科技有限公司董事長
報告：6 inch GaAs 基 VCSEL 和 射頻外延技術
嘉賓：紐應喜--啟迪半導體研發總監
報告：碳化硅外延裝備及技術進展
嘉賓：張 云--天津大學電氣自動化與信息工程學院教授
報告：新能源汽車電力電子系統及其運行控制
2、9月14日報告（陸續更新中）
嘉賓：程新紅--中科院上海微系統研究所研究員
報告：SOI基GaN材料及功率器件集成技術
嘉賓：鄧小川--電子科技大學教授
報告：極端應力下碳化硅功率MOSFET的動態可靠性研究
嘉賓：張之梁--南京航空航天大學 教授
報告：1kV寬禁帶LLC變換器控制與應用
嘉賓：惠 峰--云南鍺業公司首席科學家/中科院半導體所研究員
報告：VCSEL用六英寸超低位錯密度砷化鎵單晶片研制及應用
嘉賓：陳 鵬--南京大學教授
報告：GaN肖特基功率器件新進展
嘉賓：Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統中心助理教授
報告：Packaging Enabled Thermal Management of Ga2O3 Devices
嘉賓：倪煒江--安徽芯塔電子科技有限公司 總經理
報告：高性能高壓碳化硅功率器件設計與技術
嘉賓：李 強--西安交通大學副教授
報告：基于HBN 的射頻器件
嘉賓：吳 彤--安森美首席SiC 專家
報告：Adopt of SiC devices in EV applications
嘉賓：吳 亮--奧趨光電CEO
報告：AlN/AlScN材料制備技術及其在5GRFFE濾波及功率器件等領域應用前景展望
嘉賓：張保平--廈門大學電子科學與技術學院 副院長、教授
報告：氮化鎵基VCSEL技術進展
嘉賓：蔚 翠--中電科第十三研究所研究員
報告：金剛石微波功率器件研究
嘉賓：左 超--愛發科商貿（上海）有限公司電子營業部部長
報告：量產高性能功率與射頻器件的ULVAC裝備技術
嘉賓：裴軼/Amgad Alsman--蘇州能訊高能半導體有限公司技術副總裁/中國科學技術大學
報告：基于物理的5G射頻GaN 晶體管模型、趨勢和挑戰
嘉賓：王祁玉--益豐電子副總經理
報告：射頻器件（TBD）
嘉賓：袁 理--青島聚能創芯微電子有限公司
報告：面向快充應用的GaN材料和器件技術
嘉賓：劉 雯--西交利物浦大學副教授
報告：硅基GaN MIS-HEMT 單片集成技術
嘉賓：黃潤華--中電科五十五所副主任設計師
報告：碳化硅MOSFET技術問題及55所產品開發進展
嘉賓：英諾賽科科技股份有限公司
報告：八英寸硅基氮化鎵技術進展（TBD）
嘉賓：葉建東--南京大學教授
報告：氧化鎵基雙極型異質結功率器件研究
嘉賓：彭 燕--南砂晶圓研發中心主任，山東大學副教授
報告：碳化硅與金剛石單晶襯底技術與產業化研究
嘉賓：葉念慈--三安集成技術市場總監
報告：（TBD）
嘉賓：童吉楚--乾照激光副總經理
報告：VCSEL 技術 (TBD)
嘉賓：向鵬博士--蘇州晶湛半導體有限公司研發經理
報告：用于新型GaN功率器件的外延技術進展
嘉賓：楊學林--北京大學物理學院高級工程師
報告：Si襯底上GaN基電子材料外延生長技術研究進展
嘉賓：Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統中心助理教授
報告：Ruggedness of SiC MOSFETs and GaN HEMTs in Overvoltage Switching
嘉賓：徐尉宗--南京大學研究員
報告：面向高可靠性、高能效應用的GaN HEMT增強型器件技術
嘉賓：郭宇鋒--南京郵電大學副校長、教授
報告：Off-state Characterization of AlGaN/GaN HEMT via Artificial Neural Network
嘉賓：樊嘉杰--復旦大學青年研究員
報告：SiC功率器件先進封裝材料及可靠性優化設計
更多報告嘉賓正在確認中！！！
擬參與單位：華為、中興、南京大學、三安光電、東南大學、英諾賽科、鍇威特、泰科天潤、基本半導體、捷捷微電、中微公司、蘇州納維、廈門大學、南砂晶圓、瀚天天成、蘇州晶湛、云南鍺業、Crosslight、英飛凌、GaNPower、安森美、許繼電氣、中車時代、國家電網、中芯集成、華潤微電子、南大光電、AIXTRON、中電科五十五所、中電科十三所 西安電子科技大學、江蘇能華、西安交通大學、北京大學，電子科技大學，河北同光、山東天岳、天津大學、聚能創芯，賽微電子，南京百識，唐晶量子，天科合達，漢驊半導體，大族激光，德儀，江蘇三代半研究院等
投稿 ：Oral或Poster ：500字左右擴展摘要提交到 1957340190@qq.com。
參會注冊 ：注冊費 2000元 （會議資料，招待晚宴，自助餐）
開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
參會/贊助/商務合作：
聯系人：賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com
聯系人：賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com
張小姐13681329411，zhangww@casmita.com
協議酒店：城市名人酒店（協議價400元，含早）
聯系人：王瑋18652978537，648231476@qq.com
防疫提示：會務組最新咨詢南京市衛健委并得到答復，目前南京市全域均為低風險區，進出南京不需要核酸檢測證明，只要14天內未曾去過中高風險區和出入境經歷，體溫無異常情況下，均可持綠碼進出南京參加會議。
聯系人：王瑋18652978537，648231476@qq.com
防疫提示：會務組最新咨詢南京市衛健委并得到答復，目前南京市全域均為低風險區，進出南京不需要核酸檢測證明，只要14天內未曾去過中高風險區和出入境經歷，體溫無異常情況下，均可持綠碼進出南京參加會議。